به جمع مشترکان مگیران بپیوندید!

تنها با پرداخت 70 هزارتومان حق اشتراک سالانه به متن مقالات دسترسی داشته باشید و 100 مقاله را بدون هزینه دیگری دریافت کنید.

برای پرداخت حق اشتراک اگر عضو هستید وارد شوید در غیر این صورت حساب کاربری جدید ایجاد کنید

عضویت

جستجوی مقالات مرتبط با کلیدواژه « پوشش دهی چرخشی » در نشریات گروه « مواد و متالورژی »

تکرار جستجوی کلیدواژه « پوشش دهی چرخشی » در نشریات گروه « فنی و مهندسی »
  • روشنک اسدی تبریزی*، محمد رضوانی

    لایه نشانی چرخشی شیشه های کالکوژناید، روشی مقرون به صرفه و منعطف برای ساخت لایه های نازک مورد استفاده در حوزه فوتونیک است. در این تحقیق لایه های نازک شیشه کالکوژناید Ga1As39S60 آلاییده با 1% اتمی Er به روش پوشش دهی چرخشی لایه نشانی شدند. شیشه ی اولیه در آمپول های کوارتزی و با استفاده از روش مرسوم ذوب از عناصر اولیه (دمای C° 650 و مدت hr 15) در کوره نوسانی و کوینچ تهیه شدند. برای تهیه ی فیلم ها از دو حلال اتیلن دی آمین (EDA) و پروپیل آمین (PA) استفاده شد. از لام های شیشه ای (ضریب شکست 51/1) به عنوان زیرلایه استفاده شد. لایه ها پس از پوشش دهی چرخشی (rpm 2000 به مدت s90) در دو مرحله در دمای C° 60 تحت اتمسفر خلاء و دمای C° 150 تحت اتمسفر نیتروژن عملیات حرارتی شدند. خواص نوری لایه ها با استفاده از آنالیز UV-Vis و FTIR بررسی شدند. در نتایج UV-Vis، میزان عبور و لبه ی جذب طول موج کوتاه در لایه ی تهیه شده از حلال PA به ترتیب بیشتر و کمتر از لایه ی تهیه شده از حلال EDA بود. با استفاده از روش Swanepoel ضریب شکست و ضخامت لایه ها به ترتیب در محدوده ی 19/2-96/1 و nm 543-495 محاسبه شدند. با استفاده از برون یابی تایوک، گاف انرژی نوری در محدوده ev 34/2-16/2 محاسبه شد. نتایج FTIR بیانگر میزان حلال EDA باقی مانده بالاتری نسبت به PA است. نشر فوتولومینسانس در لایه های تهیه شده از حلال PA بالاتر بود. طیف RAMAN و نتایج نقشه ی توزیع عناصر در EDS نیز بیانگر پخش یکنواخت Er در شبکه ی شیشه بود و اثری از خوشه ای شدن Er در ساختار مشاهده نشد. با استفاده از تصاویر میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM)، زبری سطحnm  5/3-3/3 به دست آمد.

    کلید واژگان: لایه نازک, کالکوژناید, پوشش دهی چرخشی, خواص نوری}
    Roshanak Asadi Tabrizi*, Mohammad Rezvani

    Spin-coating of Chalcogenide glasses is a cost-effective and flexible method to produce thin films applicable in photonics. In this paper Er was doped into Ga1As39S60 glass by melt quenching technique and solutions for spin coating were prepared from glass powders dissolved in Propylamine and Ethylendiamine. Substrates used were microscopic slides (refractive index of about 1.51). Applied layers were dried in 60 ℃  vacume for 60 min and then heat treated at 150 ℃  for 60 min in Nitrogen Atmosphere. Influence of solvent type on optical parameters of films and the amount of residual solvent was studied by examining UV visible infrared spectroscopy. According to AFM images, surface roughness of layers was about 3.3-3.5 nm. Although films demonstrated PL emission at 1.55 µm, emission intensity was higher at the films deposited from PA solvent. EDS mapping images showed no clusters of Er within the glass matrix.

    Keywords: Thin films, Chalcogenide, Spin-Coating, Optical Properties, Solvent}
  • حمانه زارع نژاد *، محمد حلالی، مسعود عسکری
    تقاضای انرژی در جهان به دلیل رشد جمعیت، پیشرفت صنعتی و استفاده زیاد از دستگاه های الکتریکی مدرن روز به روز در حال افزایش است. بنابراین، پیداکردن یک منبع انرژی قابل اطمینان، مقرون به صرفه و تجدیدپذیر برای آینده مورد نیاز است. در سال های گذشته، سلول خورشیدی نقش مهمی را در رقابت انرژی جهانی و محیطی به عنوان یک منبع پاک و پایدار داشته است. در میان انواع سلول های خورشیدی، سلول های خورشیدی پروسکایتی به عنوان سوپراستار صنعت فتوولتائیک در سال های اخیر پدیدار شده اند. در تمام انواع مختلف سلول های خورشیدی پروسکایتی، مورفولوژی و پوشش دهی لایه پروسکایت نقش مهمی را در کارایی فتوولتائیکی سلول خورشیدی ایفا می کند. با بهبود پوشش دهی لایه پروسکایت و دستیابی به لایه پروسکایت متراکم و کاهش میزان حفرات، جریان الکتریکی ناشی از نور خورشید افزایش می یابد و باعث بالارفتن بازده تبدیل توان (PCE) می گردد. در این تحقیق به منظورافزایش بازده به کمک بهبود پوشش دهی لایه پروسکایت، کلر به ساختار متداول پروسکایتی CH3NH3PbI3 به دو روش پوشش دهی چرخشی یک مرحله ای و دو مرحله ای پوشش دهی چرخشی-غوطه وری اضافه شده است. آزمایشات XRD، FE-SEM و اندازه گیری جریان مدار کوتاه و ولتاژ مدار باز با دستگاه شبیه ساز سلول خورشیدی به منظور مشخصه یابی، تعیین بازده سلول و مقایسه سلول ها انجام شد.با اضافه شدن کلر، در روش یک مرحله ای بازده تبدیل توان از 3.87% به 6.76% و در روش دو مرحله ای بازده تبدیل توان از 7.84% به 10.27% افزایش یافته است.
    کلید واژگان: سلول خورشیدی پروسکایتی, مورفولوژی, پوشش دهی چرخشی, کلر, بازده}
    Hamaneh Zarenezhad *, Mohammad Halali, Masoud Askari
    Global energy crisis caused by the rapid growth in world population and industrial growth as well as the rapid development of the society and electricity-consuming devices increases day by day and may become a crisis. Among all renewable energies, solar energy is the most promising and easy access to the energy resource to solve the global energy crisis. Perovskite solar cells have been developed as a superior photovoltaic device owing to their high photovoltaic performance and low cost of manufacturing. In all structure of perovskite solar cells, the morphology of perovskite layers plays an important role for photovoltaic performance. The formation of a compact and uniform perovskite layer with large crystal size is a significant factor to get the best device performance and efficiently. In this work, chlorine was used in precursor perovskite solution of common perovskite structure(CH3NH3PbI3) in one step deposition method (OSD) and spin-dip deposition method (SDM) to prepare mesoporous perovskite solar cells to increase cells efficiency by getting compact and smooth perovskite layers. SEM, XRD and current density-voltage (J-V) measurements by solar cell characterization were used to investigate cell performance. As a result, in the presence of chlorine in both OSD and SDM methods power conversion efficiency has been enhanced from 3.87% to 6.76% and from 7.84% to 10.27% respectively.
    Keywords: perovskite solar cells, efficiency, morphology, chlorine, spin coating}
  • هاجر قنبری، رسول صراف ماموری *، جمشید صباغ زاده، رسول ملک فر
    بهره گیری از رسانایی بالای لایه های نازک، یکی از مهم ترین اهداف پروژه ها در حوزه کاربرد خواص الکترونیکی مواد گرافن دار می باشد. نانوورقه های گرافن، صفحه های موازی متشکل از چندین لایه گرافن با ضخامت کمتر از 100 nm هستند. در این کار ابتدا مستقیما نانوورقه های گرافن سنتز شده با لیزر با کمک پراکنده ساز تجاری DEKAMOL PES، در یک محیط آبی پراکنده شدند که نتیجه آن تشکیل سلی پایدار بود. در این مرحله سل فوق روی لامل پوشش داده شد و رسانایی آنها با دستگاه Kithley I-V meter بررسی گردید. جهت بررسی ساختاری لایه ها از میکروسکوپ نوری و میکروسکوپ الکترونی روبشی و برای بررسی سل از میکروسکوپ الکترونی عبوری و پراش اشعه X استفاده شد. تصاویر میکروسکوپ الکترونی عبوری نشان داد که نانوورقه ها نسبتا خوب پراکنده شده اند و ضخامت آنها کمتر از 5 نانومتر می باشد. الگوی پراش الکترونی نیز حضور تک بلورهای گرافنی را تایید نمود. بررسی لایه ها نشان داد که در شرایط پوشش دهی با استفاده از قطرات با اندازه 3cm1/0 و سرعت پوشش دهی چرخشی بالاتر از rpm400-300، تشکیل لایه یکنواخت رسانا ممکن نیست، درحالی که با کاهش سرعت، افزایش میزان اتصالات و البته ضخامت لایه، در ازای کاهش یکنواختی، مقاومت از حدود 109Ω به Ω 105کاهش می یابد.
    کلید واژگان: نانوورقه های گرافن, PES DEKAMOL, مقاومت الکتریکی, LP, PLA, پوشش دهی چرخشی}
نکته
  • نتایج بر اساس تاریخ انتشار مرتب شده‌اند.
  • کلیدواژه مورد نظر شما تنها در فیلد کلیدواژگان مقالات جستجو شده‌است. به منظور حذف نتایج غیر مرتبط، جستجو تنها در مقالات مجلاتی انجام شده که با مجله ماخذ هم موضوع هستند.
  • در صورتی که می‌خواهید جستجو را در همه موضوعات و با شرایط دیگر تکرار کنید به صفحه جستجوی پیشرفته مجلات مراجعه کنید.
درخواست پشتیبانی - گزارش اشکال