بررسی خواص گسیل میدانی آرایه ی نانو سیم های اکسید روی آلاییده شده با طلا

آرایه ای از نانوسیم های اکسید روی از طریق لایه نشانی فلز طلا در محیط خلا بر روی زیرلایه ی فلز روی به همراه اکسایش حرارتی در هوا در دمای oC 400 و به مدت 4 ساعت ساخته شد. الگوی پراش پرتو ایکس مجموعه ای از قله های معینی مطابق با ساختار ورتسایت اکسید روی نشان داد. تصویر میکروسکوپ الکترونی روبشی مشخص نمود که نانوسیم های اکسیدروی با طول چندین میکرون تشکیل شده اند. مطالعات طیف سنجی فوتوالکترون اشعه ی ایکس نشان داد که اتم های Au و Zn در حالت اکسید هستند. مطالعه ی گسیل میدانی الکترون به وسیله ی ساختار دیودی در فشار mbar8-10 1 صورت پذیرفت. مقدار میدان عطف، مطابق تعریف برای چگالی گسیل جریان الکترون 2μA/cm 1/0، V/μm4/2 به دست آمد. نمودار فولر- نوردهیم (F-N) رفتار خطی را در کل محدوده ی میدان اعمال شده مطابق با رفتار ذاتی گسیل کننده های نیم رسانا نشان داده است.