ساخت و مشخصه یابی نانوسیم های اکسید روی ساخته شده به روش الکتروانباشت و اکسایش حرارتی و کاربرد آن ها به عنوان گسیل دهنده میدانی

لایه ای از نانوسیم های اکسید روی بر روی زیر لایه فلز روی از محلولی که حاوی 2 ZnClو 2O2 Hبوده به روش احیاء کاتدی و از طریق حرارت دادن در اتمسفر در دمای oC 400 و به مدت 4 ساعت ایجاد شد. پراش پرتو ایکس مجموعه ای از قله های معین، (مطابق با ساختار ورتزایت اکسید روی) نشان می دهد. تصاویر میکروسکوپ های الکترونی روبشی و عبوری مشخص می کند که نانو سیم های اکسید روی با جهت گیری اتفاقی با طول چندین میکرون و قطر nm 40-30 تشکیل شده اند. مطالعه گسیل میدانی الکترون از طریق ساختار دیودی در فشار mbar 8-10×1 صورت پذیرفت. مقدار میدان روشن شدن برای چگالی گسیل جریان الکترون 2 μA/cm1/0 تعریف گردید که به مقدار V/μm2/1 به دست آمد. نمودار فولر- نوردهیم (F-N) رفتار غیرخطی را در کل محدوده میدان اعمال شده مطابق با رفتار ذاتی گسیل کننده های نیم رسانا نشان داده است. ساده بودن روش ساخت، همراه با خاصیت مناسب گسیل کننده نانو سیم های اکسید روی به طریق الکتروانباشت و اکسایش حرارتی می تواند نماینده ای از یک گسیل کننده خوب برای کاربری در جریان هایی با چگالی بالا داشته باشد.