یک تقویت کننده ی امپدانس انتقالیCMOS کم مصرف برای کاربردهای مخابرات نوری2.5Gb/s

در این مقاله یک تقویت کننده ی امپدانس انتقالی جهت گیرنده های نوری ارائه می شود. این تقویت کننده بر اساس توپولوژی فیدبک مقاومتی- خازنی به صورت موازی می باشد که از نظر توان مصرفی بهینه شده است و از تکنیک shunt peaking (بالازدگی موازی) نیز برای افزایش پهنای باند فرکانسی استفاده شده است. این مدار در تکنولوژی 0.18 μm CMOS طراحی و شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی بهره ی 67.5 dBΩ، پهنای باند 3GHz و توان مصرفی 12.16 mW را نشان می دهد که نشان دهنده عملکرد مناسب تقویت کننده ی پیشنهادی برای کاربردهای 2.5Gb/s جهت استفاده در استاندارد SONET OC-48)) می باشد. دیاگرام چشمی به دست آمده برای نرخ داده ی 2.5 Gb/s کیفیت سیگنال قابل قبولی رابرای جریان های ورودی تا 10 μA نشان می دهد.