بررسی مدهای فونون های اپتیکیدر یک نانوساختار نیمه رسانا

نویسنده:

عباس شاه بندی قوچانی

پیام:
چکیده:
به کمک تقریب دی الکتریک پیوسته، مدهای فونون های اپتیکی حاصل از فصل مشترک یک سیم کوانتومی استوانه ای از جنس GaAs در یک محیط نیمه رسانای قطبی GaxAl1-xAs بررسی شده است. نتایج به دست آمده دو شاخه متفاوت (SO1، SO2) از مدهای فونونی سطحی را نشان می دهند. با افزایش بردار موج ()، بسامد هر یک از مدهای فونونی به بسامد یک ساختار صفحه ای تخت نا متجانس همگرا می شود.
کلیدواژگان:

نانوسیم کوانتومی ، مدهای فونونی ، فونون های اپتیکی ، نیمه رسانای قطبی

زبان:
فارسی
انتشار در:
مجله فیزیک کاربردی، سال چهارم شماره 1 (پیاپی 6، بهار و تابستان 1393)
صفحات:
63 تا 68
لینک کوتاه:
magiran.com/p1369418 
دانلود و مطالعه متن این مقاله با یکی از روشهای زیر امکان پذیر است:
اشتراک شخصی
با عضویت و پرداخت آنلاین حق اشتراک یک‌ساله به مبلغ 1,390,000ريال می‌توانید 70 عنوان مطلب دانلود کنید!
اشتراک سازمانی
به کتابخانه دانشگاه یا محل کار خود پیشنهاد کنید تا اشتراک سازمانی این پایگاه را برای دسترسی نامحدود همه کاربران به متن مطالب تهیه نمایند!
اطلاعات بیشتر
توجه!
  • حق عضویت دریافتی صرف حمایت از نشریات عضو و نگهداری، تکمیل و توسعه مگیران می‌شود.
  • پرداخت حق اشتراک و دانلود مقالات اجازه بازنشر آن در سایر رسانه‌های چاپی و دیجیتال را به کاربر نمی‌دهد.
In order to view content subscription is required

Personal subscription
Subscribe magiran.com for 70 € euros via PayPal and download 70 articles during a year.
Organization subscription
Please contact us to subscribe your university or library for unlimited access!
More information