شبیه سازی ترانزیستور بدون پیوند نانولوله کربنی با استفاده از روش تابع گرین غیرتعادلی

در این مقاله، ساختار ترانزیستوری به نام ترانزیستور بدون پیوند نانولوله کربنی را با استفاده از تابع گرین غیرتعادلی شبیه سازی کرده ایم. ترانزیستورهای بدون پیوند (JL-FET) ساختارهای بدیعی هستند که ضمن تسهیل فرآیند ساخت مشخصات الکترونیکی مطلوبی فراهم می کنند. ما با اعمال مفهوم بدون پیوند به ترانزیستورهای اثرمیدانی نانولوله کربنی (CNTFET)، مشخصات الکترونیکی یک ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله کربنی بدون پیوند (JL-CNTFET) را بررسی کرده و با ترانزیستور نانولوله کربنی معمولی (C-CNTFET) مقایسه کرده ایم. پارامترهایی نظیر سویینگ زیرآستانه، نسبت جریان روشنی به جریان خاموشی و مشخصه خروجی ترانزیستور برای ساختارهای مذکور محاسبه شده اند. همچنین حساسیت Ion/Ioff ترانزیستور JL-CNTFET به تغییر کایرالیتی و چگالی ناخالصی بررسی شده است. نتایج حاصل از شبیه سازی نشان می دهد که ترانزیستورهای نانولوله کربنی بدون پیوند با داشتن ولتاژ آستانه و شیب زیرآستانه کوچکتر و همچنین جریان خروجی بیشتر در حدود دو برابر C-CNTFET گزینه مناسبی برای کاربردهای دیجیتال هستند. به منظور شبیه سازی کامپیوتری از روش حل خودسازگار معادله پوآسن و شرودینگر از طریق روال NEGF تحت شرایط بالستیک استفاده شده است.