بررسی و تحلیل رفتاری لایه برداری سطحی ناهمسان گرد سیلیکون در محلول TMAH

این مقاله به بررسی و تحلیل رفتاری لایه برداری سطحی ناهمسان گرد سیلیکون (100) در هیدروکسید آمونیم تترامتیل(TMAH) پرداخته است. فرآیند حکاکی در محلول TMAH با غلظت های مختلف 5%، 10%، 15% و 25% و در دماهای مختلف oC 70، oC 80 و oC90 انجام شد. نتایج نشان می دهد که نرخ زدایش با افزایش دما، افزایش می یابد ولی این نرخ با افزایش غلظت TMAH در غلظت های بیشتر از 10% کاهش می یابد. بیشترین نرخ زدایش برابر با μm/h62 در غلظت 10% و دمای oC 90 است. تصاویر SEM نشان می دهد که در سطح سیلیکون برآمدگی های شبیه به تپه های هرمی شکل کوچک ظاهر می شود که تعداد، شکل و نحوه توزیع آنها در روی سطح سیلیکون کاملا تصادفی است. تعداد ناهمواری با افزایش غلظت TMAH کاهش می یابد و سطح سیلیکون حکاکی شده در TMAH با غلظت های بالا، صاف تر می باشد. درضمن بیشترین مقدار نرخ زدایش در صفحه <100> نسبت به صفحه برای TMAH با غلظت 10% به دست آمده است که مقدار آن 6/10 است. زدایش سیلیکون با TMAH در این غلظت کمترین زیربریدگی را دارد.