بررسی اثر دما در مشخصه I-V ادوات اپتو الکترونیکی بر پایه نقاط کوانتومی

در این پژوهش مدل دقیقی از ترانزیستور HEMT مواد AlGaN/GaN در حضور نقاط کوانتومی InN به منظور بررسی مشخصه های جریان-ولتاژ ارائه شده است. این کار برای نقاط کوانتومی InN با اندازه های مختلف، کسر مولی مختلف آلومینیوم و با فاصله مختلف گوسی شکل در ناحیه خطی مشخصه های بین نقاط در نظر گرفته شده است. حضور نقاط کوانتومی InN باعث ایجاد یک پیک تقریبا جریان-ولتاژ می شود که با این مشخصه های جریان-ولتاژ می توان موقعیت و سایز نقاط کوانتومی را در ساختار شناسایی کرد. در ادامه تاثیر دما نیز محاسبه و نتایج ارائه می شود. محاسبات نشان می دهد که با افزایش دما، به علت افزایش پراکندگی ها جریان ها کاهش پیدا م یکنند. ه مچنین دمای کانال به عنوان اثر خودگرمایی به منظور بررسی تاثیرات آن بر روی مشخصه I-V محاسبه شده و نتایج نشان می دهد، که دما در ولتاژهای بالای گیت و درین، زیاد است.