وابستگی رسانش الکترونی یک نانو حلقه کربنی به محل اتصال هادی ها و میدان مغناطیسی اعمالی

در این مقاله در رهیافت تنگابست و به روش تابع گرین رسانش الکترونی یک نانو حلقه کربنی را برای موقعیت های مختلف اتصال هادی ها به آن در حضور و غیاب میدان مغناطیسی بررسی کردیم. نتایج نشان می دهد که با نزدیک شدن هادی ها در نانو حلقه، رسانش تونل زنی در ناحیه گاف بهتر می شود. همچنین اعمال میدان مغناطیسی تاثیر زیادی بر طیف رسانش این نانو حلقه دارد، به گونه ای که وجود میدان باعث می شود مواردی که طیف رسانش آنها در غیاب میدان کاملا بر هم منطبق هستند، از هم جدا گردند. بررسی نانو حلقه های شامل مولکول بنزن دوتایی نشان می دهد که تغییر مکان این حلقه های بنزنی در نانو حلقه، باعث جابه جایی ضد تشدیدها در نمودار رسانش می شود.