سنتز نانوالیاف SiC به صورت درجا به منظور افزایش مقاومت به اکسیداسیون گرافیت

در این تحقیق از مزایای فناوری نانو برای بهبود مقاومت به اکسیداسیون گرافیت استفاده شده است. پوشش اولیه به روش سمانتاسیون بسته ای و پوشش ثانویه به روش روکش دوغابی در دمای °C 1600 و زمان 2 ساعت، بر گرافیت اعمال شده و آزمون اکسیداسیون نمونه ها در دمای °C 1500 انجام گرفت. شناسایی فازی پوشش ها در حالت قبل و بعد از اکسیداسیون، با دستگاه پراش اشعه ایکس (XRD) انجام شد و از میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) برای بررسی ریزساختار پوشش ها استفاده شده و نرم افزار HSC Chemistry برای محاسبات ترمودینامیکی نظیر تغییرات انرژی آزاد گیبس واکنش ها بکار رفت. نتایج نشان داد که روش سمانتاسیون بسته ای منجر به تشکیل پوشش متراکم و تدریجی با فاز غالب β-SiC می شود. همچنین نانوالیاف SiC با ابعاد حدود nm 70-50 به صورت درجا تشکیل شد که تاثیر بسزایی در مقاومت به اکسیداسیون پوشش ها دارند، به طوری که با اکسید کامل گرافیت در یک ساعت اول، کاهش وزن نمونه حاوی نانوالیاف SiC پس از 10 ساعت تنها 6 درصد بود.