مدلسازی تغییرات ضخامت لایه مرده در شبیه سازی M CNP آشکارساز HPGe جهت بهینه سازی محاسبه بازده شمارش نمونه های داخل ظرف مارینلی

در این پژوهش روشی برای در نظر گرفتن تغییرات ضخامت مرده در سطوح اطراف و بالای آشکار ساز ژرمانیوم فوق خالصHPGe جهت شبیه سازی دقیق تر آن به خصوص برای نمونه های با هندسه مارینلی ارائه شده است. با توجه به اینکه در نظر گرفتن جزئیات تغییرات ضخامت لایه مرده در تمام نقاط سطح آشکارساز امکان پذیر نیست، در این مقاله در تقریب مناسبی تغییرات ضخامت لایه مرده در 12 قطاع سطح جانبی آشکارساز و 25 نقطه در سطح بالای آن بررسی شده است. برای این منظور بازده شمارش چشمه نقطه ای استاندارد Am-241 در هریک از نقاط مورد نظر در آزمایشگاه اندازه گیری شده و با توجه به نتایج شبیه سازی MCNP مناسب ترین ضخامت لایه مرده برای هر نقطه انتخاب گردید. سپس روشی برای شبیه سازی آشکارساز با ضخامت لایه مرده متوسط سطح جانبی و ضخامت متوسطی برای سطح بالایی آن ارائه شد. برای بررسی این روش، نتایج شبیه سازی بازده شمارش محلول رادیواکتیو استاندارد در ظرف مارینلی با نتایج آزمایشگاهی شمارش، مقایسه شده و همخوانی مناسبی بین نتایج مشاهده شد.