مطالعه خواص هندسی،پایداری و الکترونی هتروفولرن های SiH20-mXm X N،P،As، m1،2،5،10،20 با استفاده از نظریه تابعیت چگالی

محاسبات نظریه تابعی چگالی برای بررسی خواص هندسی، پایداری و الکترونی هتروفولرن هایSiH20-mXm که با جای گذاری واحد SiH از فولرن Si20H20 با اتم عناصر نیتروژن، فسفر و آرسنیک حاصل می شوند، مورد بررسی قرار گرفته است. محاسبات فرکانس ارتعاشی نشان می دهد که همه ی ساختارها در مینیمم های موضعی انرژی قرار دارند. هتروفولرن های نیتروژنی SiH15N5b و SiH10N10c با انرژی پیوندی محاسبه شده معادل3.61 eV و3.77 eV نسبت به فولرن اولیه و دیگر هتروفولرن های مورد بررسی پایدارترند. آلاییدن فولرن سیلیکونی Si20H20 با اتم های نیتروژن، فسفر و آرسنیک موجب کاهش گپ انرژی HOMO-HUMO می شود که می تواند برای بهبود خواص نوری آن ها مورد استفاده قرار گیرد. همچنین نتایج انرژی های یونیزاسیون و الکترونخواهی هتروفولرن های مطالعه شده رفتار متفاوتی را برای هتروفولرن های نیتروژنی در مقایسه با هتروفولرن های فسفری و آرسنیکی نشان می دهند.