تاثیر آلاینده سرب بر خواص نوری لایه های اکسید ایندیم لایه نشانی شده به روش انباشت الکتروشیمیایی

لایه های نانوساختار اکسید ایندیم (In2O3) خالص و آلاییده با مقادیر مختلف از سرب، به روش انباشت الکتروشیمیایی لایه نشانی شدند. نتایج حاصل از آنالیز الگوی پراش، وجود فاز اکسید ایندیم را در دو فاز بلوری مکعبی و رومبوهدرال تایید کردند. تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی نشان می دهند که مواد رشد داده دارای ابعاد نانومتری بوده و اندازه آنها در محدوده nm 81-45 می باشد. طیف نور تابناکی نیز باندهای گسیلی در محدوده طیف مرئی را نشان می دهد. طیف جذبی نانوساختارها وجود لبه جذب را در ناحیه فرابنفش نشان داد که با افزودن ناخالصی سرب یک کاهش در شدت جذب مشاهده شد. همچنین انرژی شکاف باند نوری مواد بدست آمده هنگام آلایش با سرب یک کاهش را نشان داد.