بررسی تاثیر زاویه تزریق بر شتاب الکترون در شتابدهنده میدان عقبه لیزری با حضور میدان مغناطیسی خارجی

در این مقاله تاثیر تکانه اولیه و زاویه تزریق الکترون ها به داخل پلاسمای مغناطیده در یک شتاب دهنده میدان عقبه لیزری مورد مطالعه قرار گرفته است. دیده شد که استفاده از میدان مغناطیسی خارجی در خلاف جهت انتشار پالس لیزری منجر به افزایش دامنه میدان عقبه و کاهش سرعت گروه پالس لیزری در مقایسه با حالت استفاده از میدان مغناطیسی خارجی در جهت انتشار پالس لیزری یا حالت پلاسمای غیرمغناطیده می شود. نتایج حاصل نشان می دهد تاثیر تغییرات تکانه اولیه روی انرژی نهایی کسب شده توسط الکترون در مقایسه با تاثیر تغییرات زاویه تزریق کمتر است. مشاهده شد با افزایش زاویه تزریق، الکترون می تواند مدت بیشتری در فاز شتاب قرار گرفته و به انرژی نهایی بیشتری برسد. بیشترین انرژی کسب شده در حالت اعمال میدان مغناطیسی معکوس بوده و در حدود GeV 5/2 است. همچنین با افزایش زاویه تزریق، واگرایی الکترون ها افزایش می یابد و کمترین واگرایی مربوط به حالت میدان مغناطیسی در خلاف جهت انتشار پالس است.