بدست آوردن رابطه ی ولتاژ آستانه در ماسفت های سیلیکون روی الماس با طول کانال 22 نانومتر و یک لایه عایق اضافی

 در این مقاله برای اولین بار رابطه ی تحلیلی ولتاژ آستانه در یک ترانزیستور ماسفت سیلیکون روی الماس با یک لایه عایق اضافی و طول کانال کوتاه ارائه گردیده است؛ در این ساختار لایه ی عایق اول الماس است که بر روی زیرلایه ی سیلیکونی قرار دارد و لایه ی عایق دوم دی اکسیدسیلیکون می باشد که بر روی الماس قرار گرفته و از دو طرف به سورس و درین محدود شده است. رابطه ی تحلیلی برای محاسبه ی ولتاژ آستانه با محاسبه ی خازن های موجود در عایق مدفون استفاده شده است. نتایج بدست آمده از روابط تحلیلی و شبیه سازی افزاره برای ولتاژ آستانه در ترانزیستورهای سیلیکون روی الماس دولایه، سیلیکون روی عایق و سیلیکون روی الماس با ابعاد و طول کانال مشابه، مقایسه شده است. همچنین تاثیر ابعاد افزاره نظیر ضخامت اکسید گیت، ضخامت بدنه ی سیلیکونی، ضخامت عایق دوم و طول این عایق را بر روی ولتاژ آستانه ی افزاره ی سیلیکون روی الماس با عایق دولایه بررسی کرده ایم و نتایج حاصل از روابط تحلیلی را با نتایج بدست آمده از شبیه سازی افزاره مقایسه نمودیم و به تطبیق مناسبی بین نتایج حاصل دست یافته ایم.