ارائه ی مدل مداری جدید برای پارامترهای معادلات سلول عصبی هاجکینگ هاکسلی با توان پایین

در این مقاله، توابع α و β و متغیرهای گیت مربوط به معادلات متغیرهای گیت سلول عصبی هاجکینگ هاکسلی بررسی می‎شود.  متغیرهای گیت سلول عصبی هاجکینگ هاکسلی، نرخ باز و بسته شدن یون های کلسیم و پتاسیم را نشان می‎دهد. توابع متغیر α و β، توابعی نمایی بر حسب پتانسیل پوسته u می‎باشند که توسط هاجکینگ و هاکسلی برای تنظیم و تطبیق معادلات مربوط به سلول عصبی به طور تجربی بدست آمده‎اند. در این مقاله، این معادلات توسط ترانزیستور FGMOS طراحی شده‎اند که هزینه، پیچیدگی، ولتاژ و توان کمتر را به دنبال دارد. این ترانزیستورها در ناحیه‎ی زیرآستانه دارای ولتاژ و توان بسیار پایین هستند، از این رو توان مصرفی مدارهای پیشنهادی بسیار پایین می باشد. شبیه سازی توسط نرم افزار Hspice با تکنولوژی 0.18 میکرومتر انجام شده است و مساحت اشغال شده‎ی سیلیکون برای مدار متغیر های گیت طراحی شده برابر  115μm×60μm می باشد.