تاثیر ترانزیستورهای DTMOS بر عملکرد یک سلول حافظه CAM سه ارزشی مبتنی بر ممریستور در کاربردهای توان پایین

در این مقاله، استفاده از ترانزیستورهای DTMOS به جای ترانزیستورهای ماسفت در یک سلول حافظه CAM سه ارزشی مبتنی بر ممریستور(MTCAM) پیشنهاد می شود. همچنین، تاثیر به کارگیری سه روش بایاس مستقیم بدنه در ترانزیستورهای DTMOS بر عملکرد سلول MTCAM در وضعیت نوشتن بررسی می شود. روش های بایاس بدنه عبارتند از: اتصال مستقیم گیت  و بدنه (DT1)، اتصال مستقیم درین و بدنه (DT2) و اتصال گیت و بدنه با منبع ولتاژ 1/0 ولت (DT3). نتایج شبیه سازی سلول های  MTCAM مبتنی بر DTMOS در مقایسه با سلول MTCAM مبتنی بر ماسفت نشان می دهد روش DT1 باعث بهبود توان مصرفی کل و حاصل ضرب توان و تاخیر (PDP) به ترتیب به میزان %86 و %42 اما افزایش تاخیر به میزان %30 می شود، روش DT2 باعث بهبود توان مصرفی کل و PDP به ترتیب به میزان %87 و %60 اما افزایش تاخیر به میزان %20 می شود و روش DT3  باعث بهبود توان مصرفی کل و PDP به ترتیب به میزان %89 و 74% اما افزایش تاخیر به میزان %14 می شود. بنابراین، سلول DT3-MTCAM کمترین توان مصرفی و تاخیر را دارد و برای کاربردهای توان پایین مناسب تر است. شبیه سازی ها  در فرکانس 40 مگاهرتز و تکنولوژی 180 نانومتر CMOS انجام شده است.