مقایسه جریان ناشی از تابش اشعه فرابنفش بر دیود نوری PIN سیلیکونی و گالیوم آرسنایدی

تشعشع پرتو پرانرژی فرابنفش بر دیودهای نوری PIN، پارامترهای مطلوب این نوع فوتودیودها را کاهش می دهد. در این مقاله با ارایه مدل شبیه سازی، به بررسی اثرات تابش اشعه فرابنفش بر مشخصه ی جریان روشنی در دو نوع دیود نوری گالیوم آرسنایدی و سیلیکونی پرداخته و جهت تایید روابط تحلیلی، به کمک نرم افزار سیلواکو-اطلس هر دو مدل دیودی شبیه سازی می شود. ابتدا دو مدل (سیلیکونی و گالیوم آرسنایدی) تحت تابش منبع فرابنفش با طول موج 300 نانومتر قرار گرفته و سپس، به بررسی پاسخ آن ها در چندین بایاس معکوس پرداخته می شود. درنهایت مشاهده می شود که پس از تابش، جریان تاریکی در هر دو مدل دیود نوری، به طور قابل توجهی افزایش یافته است. همچنین جریان روشنی در دیود نوری گالیوم آرسناید خیلی بیشتر از مدل مشابه سیلیکونی آن است. این پدیده ناشی از حساسیت بالاتر فوتودیودهای گالیوم آرسنایدی به اشعه ی پر انرژی است.تشعشع پرتو پرانرژی فرابنفش بر دیودهای نوری PIN، پارامترهای مطلوب این نوع فوتودیودها را کاهش می دهد. در این مقاله با ارایه مدل شبیه سازی، به بررسی اثرات تابش اشعه فرابنفش بر مشخصه ی جریان روشنی در دو نوع دیود نوری گالیوم آرسنایدی و سیلیکونی پرداخته و جهت تایید روابط تحلیلی، به کمک نرم افزار سیلواکو-اطلس هر دو مدل دیودی شبیه سازی می شود. ابتدا دو مدل (سیلیکونی و گالیوم آرسنایدی) تحت تابش منبع فرابنفش با طول موج 300 نانومتر قرار گرفته و سپس، به بررسی پاسخ آن ها در چندین بایاس معکوس پرداخته می شود. درنهایت مشاهده می شود که پس از تابش، جریان تاریکی در هر دو مدل دیود نوری، به طور قابل توجهی افزایش یافته است. همچنین جریان روشنی در دیود نوری گالیوم آرسناید خیلی بیشتر از مدل مشابه سیلیکونی آن است. این پدیده ناشی از حساسیت بالاتر فوتودیودهای گالیوم آرسنایدی به اشعه ی پر انرژی است.