بررسی اثر ضخامت لایه تجمع بار در یک مدولاتور جذبی مبتنی بر ماده با خواص ضریب گذردهی نزدیک صفر
در این مقاله، عملکرد یک مدولاتور نوری مبتنی بر ماده ای با خواص ضریب گذردهی نزدیک صفر(ایندیوم تین اکساید)در باند فرکانسی مخابرات نوری به ازای ضخامت های متفاوت لایه تجمع بار بررسی می شود. در این مدولاتور از طرح خازن فلز-اکسید-نیمه هادی برای تغییر بار الکتریکی در لبه دی الکتریک و ایندیوم تین اکساید استفاده می شود. از حل کننده مد انتشاری برای یافتن پارامترهای اساسی مدولاتور استفاده می شود. در این مقاله از یک مدل رایج برای معرفی لایه تجمع بار در ایندیوم تین اکساید استفاده می شود. پاسخ بدست آمده وجود یک بیشینه در نمودار تلفات الحاقی در ولتاژ 3/2 ولت با ضخامت لایه ی 1 نانومتر را نشان می دهد. این مقدار حدود dB/μm 4/8 است. نتایج بدست آمده از تغییرات ضخامت لایه های ایندیوم تین اکساید و دی الکتریک استفاده شده، افت میزان تلفات و نرخ خاموشی به ازای افزایش آنها را نشان می دهد. همچنین افزایش ضخامت بار الکتریکی در ایندیوم تین اکساید باعث افزایش ولتاژ خاموشی در مدولاتور می شود. در ضمن این کار میزان تلفات الحاقی را نیز افزایش می دهد.
- حق عضویت دریافتی صرف حمایت از نشریات عضو و نگهداری، تکمیل و توسعه مگیران میشود.
- پرداخت حق اشتراک و دانلود مقالات اجازه بازنشر آن در سایر رسانههای چاپی و دیجیتال را به کاربر نمیدهد.