شبیه سازی اثرات تابشهای پروتون و الکترون بروی لایه های محافظ در سلول منطقی دیجیتالی درون تراشه FPGA با استفاده از کد FLUKA
در این مقاله اثرات تابش های پروتون و الکترون بروی لایه های محافظ در سلول منطقی دیجیتالی درون تراشه FPGA با استفاده از کد FLUKA شبیه سازی شده است. با استفاده از کد مونت کارلوی، ترابرد الکترونها و پروتونها در یک سلول منطقی مربوط به دروازه ی دیجیتالی درون تراشه FPGA مورد بررسی قرار گرفته شده است. در این شبیه سازی، حداکثر انرژی الکترونهای و پروتونهای وارد شده به سلول منطقی تراشه بین 30 تا 50 مگا الکترون ولت بوده و آثار اختلالات ناشی از تابش بر مواد نیمه هادی و همچنین برخی از اثرات مخرب تابش پرتوهای الکترون و پروتون در پنج ساختار متفاوت با بکار بردن لایه های آلومینیوم، سیلیکون، دی اکسید سیلیکون، بورن و اکسید بورن مورد بررسی قرار گرفته شده است. نتایج شبیه سازی ها نشان می دهد، بکار بردن لایه ی ضخیم دی اکسید سیلیکون در چند لایه ی متفاوت موجب کاهش آثار ناشی از اختلال ها نسبت به سایر ساختارها خواهد شد.
سلول منطقی ، پروتون ، اثرات تابش ، کد فلوکا ، SEU
- حق عضویت دریافتی صرف حمایت از نشریات عضو و نگهداری، تکمیل و توسعه مگیران میشود.
- پرداخت حق اشتراک و دانلود مقالات اجازه بازنشر آن در سایر رسانههای چاپی و دیجیتال را به کاربر نمیدهد.