بررسی تجربی رشد جزایر مغناطیسی در پلاسماهای توکامک با اعمال محدود کننده یکطرفه گسیلنده و میدان تشدید مارپیچی

در عصر حاضر، محصورسازی گداخت مغناطیسی به عنوان راهی برای تولید انرژی در نظر گرفته می شود. در ‏این تحقیق، یکی از محدودیت های مگنتوهیدرودینامیکی یعنی جزایر مغناطیسی که به دلیل اثرات فشار ایجاد ‏می شوند، مورد بحث قرار گرفت و لازم است به صورت سطوح مغناطیسی بسته، توسط یک جداگر که آنها را از ‏سایر قسمت ها جدا می کند، احاطه شوند. از میدان های مغناطیسی خارجی، ضریب ایمنی و پروفایل های فشار، ‏برای کنترل جزایر مغناطیسی استفاده می شود. این امر از طریق یک محیط خارجی، منحصرا گرمایش سیکلوترونی ‏الکترون و همچنین جریان راه انداز انجام می شود. مطالعه سطوح شار مغناطیسی و تاثیر اختلالات مغناطیسی بر ‏روی پلاسماهای توکامک، ما را از تشکیل جزایر مغناطیسی و محل آنها آگاه می سازد. در این تحقیق، همراه با ‏بررسی جامع جزایر مغناطیسی و اهمیت آنها، روش های مرسوم برای بهبود محصورسازی مغناطیسی معرفی و ‏مورد بحث قرار گرفتند. در این راستا، روش محدود کننده یک طرفه داغ و میدان تشدید مارپیچی که توسط سیم ‏پیچ های مارپیچی خارجی تولید می شود، معرفی و مورد استفاده قرار گرفتند و جریان پلاسما، ولتاژ حلقه و ‏نوسانات میرنوف برای حالت های مختلف به دست آمدند. در نهایت، عرض جزایر مغناطیسی و نرخ رشد آنها محاسبه ‏و با نتایج تجربی مقایسه شدند.