کاهش سطح گلبرگ های فرعی در آنتن های سهموی بازتابنده

در سال های اخیر تحقیقاتی در زمینه کاهش سطح گلبرگ فرعی (SLL) آنتن های بازتابنده سهموی برای اهداف نظامی و غیر نظامی صورت گرفته است. در این تحقیقات از روش های مختلف از جمله لبه دادن به آنتن بازتابنده، تغییر امپدانس صفحه در لبه ها، قرار دادن قرص فلزی در سطح بازتابنده و یا عناصر تشدیدی و غیر تشدید در لبه ها استفاده شده است. در این مقاله تاثیر فاصله کانونی و قطر آنتن بازتابنده سهموی بر کاهش سطح گلبرگ فرعی بررسی شده و بدون استفاده از ساختارهای پیچیده و پر هزینه، با استفاده از بهینه سازی ساختار  اصلی آنتن کاهش گلبرگ فرعی محقق شده است. بسته به نیاز به بهره بیشینه، کوچک ترین اندازه و یا کم ترین سطح گلبرگ فرعی طراحی می تواند صورت گیرد. با توجه به هدف کم ترین سطح گلبرگ فرعی، آنتن پیشنهادی در این مقاله دارای فرکانس کاری 5/12 گیگاهرتز، بهره dB 07/39، عمق λ 967/4 (Cm 9/11)، قطر λ 24/39 (Cm 11/94)، فاصله کانونی λ 375/19 (Cm 47/46) و سطح گلبرگ فرعی  dB 91/44- و dB 5/43- به ترتیب در صفحات E و H است. این آنتن در فرکانس های 5/6 و 5/18 گیگاهرتز، به ترتیب سطح گلبرگ فرعی 76/30- و 15/47- را داراست.