Characterization and Fabrication of Multilayersof A1xGal_xAs/GaAs by Epitaxy

Article Type:
Research/Original Article (دارای رتبه معتبر)
Abstract:

Five layers of GaAs:Te(n=2x 1018 cmchr('39') Alo.4GaQ.6As:Sn(n=5xWI6 em,3}. GaAs, Alo .• GaQ.6As: Ge(p=3xW17 em-3),GaM: GC(p= IXlO18cm 3) were grown by supercooled LiquidPhase Epilaxy on n-GaAs(IOO) substrate. The cooling rate of thefurnace was SCI up With U. I"C/min al T=860°C. The firSI layerwas grown at T=840°C and Ihe la sl one at T=827°C. Thethi ckness were varied between 0.1 10 8,um by controlling thesupercooling IcmperalUre and growth time. Quality and quantilYof epitaxial layers were examined by TEM, SEM, PIXE and x-ray,

Keywords:

Liqlll'd Phase Epitaxy , supercooled Liquid , substrate

Language:
Persian
Published:
Iranian Journal of Crystallography and Mineralogy, Volume:3 Issue: 1, 1995
Pages:
3 to 14
magiran.com/p2303876  
دانلود و مطالعه متن این مقاله با یکی از روشهای زیر امکان پذیر است:
اشتراک شخصی
با عضویت و پرداخت آنلاین حق اشتراک یک‌ساله به مبلغ 1,390,000ريال می‌توانید 70 عنوان مطلب دانلود کنید!
اشتراک سازمانی
به کتابخانه دانشگاه یا محل کار خود پیشنهاد کنید تا اشتراک سازمانی این پایگاه را برای دسترسی نامحدود همه کاربران به متن مطالب تهیه نمایند!
اطلاعات بیشتر
توجه!
  • حق عضویت دریافتی صرف حمایت از نشریات عضو و نگهداری، تکمیل و توسعه مگیران می‌شود.
  • پرداخت حق اشتراک و دانلود مقالات اجازه بازنشر آن در سایر رسانه‌های چاپی و دیجیتال را به کاربر نمی‌دهد.
In order to view content subscription is required

Personal subscription
Subscribe magiran.com for 70 € euros via PayPal and download 70 articles during a year.
Organization subscription
Please contact us to subscribe your university or library for unlimited access!
More information