انتقال گرافن با مشخصات الکتریکی و فیزیکی مطلوب بر روی زیرلایه Si/SiO2

اانتقال گرافن از یک زیرلایه فلزی به عایق، اغلب به عنوان گام اول در ساخت ادوات گرافنی به شمار می رود. به منظور دستیابی به عملکرد مناسب این نوع از قطعات، تمیز بودن سطح و پوشش حداکثری گرافن منتقل شده امری ضروری تلقی می گردد. در این مقاله انتقال به روش تر و تاثیرات هر مرحله بر روی کیفیت گرافن انتقالی مورد بررسی قرار گرفته است؛ همچنین دلایل ایجاد حفره و آلودگی در حین فرآیند انتقال مورد مطالعه واقع شده است. در این پژوهش از تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی به منظور مشاهده مورفولوژی سطحی گرافن استفاده شده است. با بهره گیری از روش ون در پاو و اندازه گیری مقاومت الکتریکی که به نوبه خود به درصد پوشش و مساحت آلودگی وابسته می باشد؛ کیفیت گرافن انتقال یافته مورد ارزیابی قرار گرفته است. نتایج حاصل به کمک طیف سنجی رامان که در آن قله های طیف ها بیان گر نقص های شبکه کربستالی و غلظت آلایش می باشد ، مورد تایید واقع گردیده است. نهایتا یک فرآیند بهینه با 95% پوشش و مقاومت 50±700 اهم بدست آمده است.