طراحی LNA کم توان با استفاده از تکنیک gm-boosting برای کاربردهای فوق پهن باند

در این مقاله یک تقویت کننده ی کم نویز فوق پهن باند با استفاده از تکنیک gm-boosting و روش حذف نویز ارایه شده است. در این طراحی، طبقه ی گیت مشترک و تقویت کننده ی کمکی در ورودی به عنوان طبقه یgm-boosting و طبقه ی دوم به منظور افزایش بهره و حذف نویز استفاده شده است. با توجه به بکارگیری همزمان Inductive Peaking سری و موازی در خروجی، پهنای باند و بهره این تقویت کننده بالاست به گونه ای که در بین کارهای پیشین، از مشخصات قابل قبولی برخوردار است. همچنین استفاده از فیلتر چبیچف در ورودی، باعث جذب خازن ورودی در فیلتر چبیچف شده در نتیجه S11 این تقویت کننده کمتر از -12dB در کل باند عبور است. علاوه بر این، کمترین عدد نویز این تقویت کننده 3.5dB است و با توجه به بکارگیری روش های Noise-Cancellation و gm-Boosting ضمن آن که میزان نویز در کل باند کاهش یافته، جریان و به تبع آن، توان مصرفی تقویت کننده هم پایین آمده است به طوری که توان مصرفی تنها 4.8mW در کل پهنای باند می باشد و عدد نویزتقویت کننده نیز کمتر از 5dB می باشد.این تقویت کننده در تکنولوژی 0.18µm CMOS طراحی شده است که نتایج حاصل از شبیه سازی؛ بهره ی ولتاژ17.5±1.5 dB در پهنای باند 2.212.2 GHz،