مطالعه نانو ترانزیستور خازن-منفی بر پایه ماده فروالکتریک دو بعدی In2Se3

این پژوهش، مطالعه ای بر روی نانو ترانزیستور اثر میدان-خازن منفی بر پایه ماده فروالکتریک دو بعدی α-In2Se3 به منظور کاهش تاب زیر آستانه ارایه می دهد. گذار فاز و همچنین دمای کوری تک لایه α-In2Se3 با استفاده از شبیه سازی دینامیک مولکولی و مونت-کارلو بررسی شد. محاسبات نشان داد دمای کوری α-In2Se3 بالاتر از دمای اتاق است و بنابراین این ماده انتخابی برای کاربرد در نانو ترانزیستور اثر میدان-خازن منفی امیدوار کننده می باشد. در ادامه، مشخصات ترانزیستور اثر میدان-خازن منفی با کانال MoS2 و ماده فروالکتریک α-In2Se3با استفاده از استخراج ثابت های لاندایو این فروالکتریک ارزیابی شد. در این ترانزیستور تاب زیر آستانه در حدود mV/dec 59-27 برای فروالکتریک با ضخامت nm 5-25 بدست آمد، که می توان با استفاده از لایه عایق نازک تر با مقادیر بالای κ تاب زیر آستانه را کاهش بیشتری داد.