شبیه سازی مونت کارلوی فرایند لایه نشانی با لیزر پالسی و بررسی تغییر فاصله هدف تا زیرلایه بر مشخصات لایه ها

در این مقاله، فرایند لایه نشانی با لیزر پالسی و در حضور گاز پس زمینه به روش مونت کارلو شبیه سازی شده است. به طور خاص رشد فلز آلومینیوم در محیط گاز زنون پس زمینه و در فشار 50 میلی تور شبیه سازی شده است. فواصل هدف - زیرلایه برابر با 10، 15، 20، 25 و 30 میلی متر در شبیه سازی ها مورد استفاده قرار گرفته اند. اطلاعات مکانی و انرژی توده یون های پلاسمایی شکل گرفته در این روش و نیز اطلاعات مشابه برای یون های کندوپاش شده از سطح لایه درحال رشد جمع آوری شده اند. توزیع ضخامتی لایه ها با استفاده از اطلاعات یون های عبوری و کندوپاش شده از سطح لایه محاسبه شده است. نتایج نشان دهنده احتمال شکل گیری حفره در مرکز لایه های درحال رشد به این روش و تشدید آن با کاهش فاصله هدف - زیرلایه است. نتایج شبیه سازی بیانگر نقش موثر یون های کندوپاش شده از سطح لایه در شکل گیری این نوع حفره ها است.