ارائه ساختاری جدید از یک فوتودیود شکست بهمنی InGaAs/Si SACM APD جهت آشکار سازی در طول موج تابشی 1550 نانومتر

در این مقاله یک آشکارساز مبتنی بر پدیده شکست بهمنی (InGaAs/Si SACM APD) برای آشکار سازی در طول موج 1550 نانومتر ارایه گردیده است . این آشکارساز با ساختا ر ی ساده ، از حیث لایه ها تعریف و کمیت های اصلی آشکار سازی آن همانند جریان تاریک، جریان تابش، بهره و پاسخ دهی ،بهینه شده است. وجه برتری و تمایز این آشکار ساز این است که ولتاژ بایاس آن کوچکتر از مدل های موجود در مراجع معرفی شده می باشد و کمیت های آشکار سازی آن نیز، قابل رقابت با انها می باشد. این ولتاژ بایاس حداقل %41 از دیگر مراجع تطبیقی درشرایط مشابه کمتر است. در شاخص (0.9V_br) ، جریان تابش mu A 8.3 و جریان تاریک nA 4.9 حاصل گشته است. در ولتاژ بایاس 25 ولت جریان تابش mu A 51 و جریان تاریک nA 21 نسبت به فوتودیود مشابه افزایش می یابد. از این آشکار ساز برای کاربری های خاصی که نیاز به جریان تاریک بسیار پایین دارند نیز، می توان بهره برداری نمود.