ساختار باندی گرافن بورن نیترید در چارچوب مدل تنگ بست واقعی

در این مقاله با استفاده از یک مدل تنگ بست واقع گرایانه و دقیق، ساختار الکترونیکی تک لایه گرافن رشد یافته بر بستر یک زیر لایه بورن نیترید، مورد مطالعه قرار گرفته است. برای این منظور با انجام محاسبات مبتنی بر نظریه تابعی چگالی، امکان رشد گرافن بر زیر لایه بورن نیترید در یک شبکه منطبق بر هم، مورد بررسی قرار گرفته است. ساختار الکترونیکی این شبکه از برازش پارامترهای تنگ بست تا همسایه پنجم، با داده های تابعی چگالی محاسبه شده است. در این شبکه ساختار الکترونیکی گرافن تا حدود زیادی حفظ شده است. نتایج نشان می دهد، اثرات بین لایه ای نسبتا ضعیف است. یک گاف کوچک حدود 2/0 الکترون ولت در اثر معادل نبودن جایگاه های کربنی در ساختار گرافنی ایجاد شده است که می توان با اعمال یک ولتاژ گیت از آن برای ایجاد ترانزیستورهای اثر میدان استفاده کرد.