طراحی و ساخت تقویت کننده توان 8 وات با بهره و بازدهی بالا در باند X با استفاده از ترانزیسوتورهای GaN-HEMT به صورت Die برای کاربرد در ارتباطات ماهواره ای
در این مقاله، طراحی و ساخت تقویت کننده مدار مجتمع ترکیبی مایکروویو (HMIC[i]) با توان بیش از 8 وات و بهره سیگنال بزرگ بیش از dB 50 در بازه فرکانسی GHz 2/11-95/10 برای کاربرد در ارتباطات ماهواره ای ارایه می شود. به منظور دست یابی به بازدهی بالا در این تقویت کننده، دو طبقه انتهایی تقویت کننده با استفاده از ترانزیستور های GaN-HEMT، به صورت ماژول های جداگانه با طراحی سفارشی ساخته شده اند. به منظور بررسی تکرارپذیری، 16 ماژول 8 وات ساخته و تست شده اند؛ که تمامی آن ها، توان خروجی 8 وات و بازدهی بیش از 55 درصد را فراهم نمودند. به منظور دست یابی به بهره بیش از dB 50 ، از ICهای آماده به عنوان طبقات بهره استفاده شده است. در نهایت، عملکرد تقویت کننده ساخته شده با استفاده از سیگنال مدوله شده QAM با نرخ MSym/s 10 مورد ارزیابی قرار گرفته و توان متوسط 6 وات با بازدهی بیش از 33% در فرکانس GHz 11 به دست آمده است.
- حق عضویت دریافتی صرف حمایت از نشریات عضو و نگهداری، تکمیل و توسعه مگیران میشود.
- پرداخت حق اشتراک و دانلود مقالات اجازه بازنشر آن در سایر رسانههای چاپی و دیجیتال را به کاربر نمیدهد.