آنتن دو قطبی مغناطیسی-الکتریکی با خصیصه قطبش دایروی و الگوی تشعشعی یک جهته با هدف بهبود پهنای باند

در این مقاله ساختار جدید و فشرده ای از آنتن یک جهته که از یک دوقطبی الکتریکی صفحه ای و یک المان اتصال کوتاه شده تشکیل شده، معرفی می شود. این آنتن توسط یک خط تغذیه Γ شکل تحریک می گردد. پهنای باند امپدانسی عریضی در بازه فرکانسی 3/1 گیگاهرتز تا 3 گیگاهرتز در عملکرد خروجی این آنتن مشاهده می شود. الگوهای تشعشعی پایه دار با سطح گلبرگ اصلی بالا و سطح گلبرگ فرعی و پشتی کم از خصایص دیگر آنتن معرفی شده اند. فرایند طراحی آنتن به صورت پله به پله و پارامتریک بر مبنای مقادیر کلیدی هندسه آنتن صورت پذیرفته است. خصیصه اصلی آنتن مورد نظر، تحقق قطبش دایروی در درصد بالایی از پهنای باند کاربردی است. الگوهای تشعشعی صفحات متعامد E و H همراه با الگوهای قطبش دایروی چپگرد و راستگرد برای آنتن مورد نظر استخراج شده و مورد تحلیل قرار گرفته است. شباهت زیادی میان الگوی صفحه ایE و H وجود دارد که نشان دهنده دقت فرایند طراحی است. از سوی دیگر برای مطالعه حالت قطبش دایروی، نمودارهای چپگرد و راستگرد بر مبنای جهت بیم اصلی و سطح قطبش متعامد دارای عملکرد قابل قبولی هستند. بیشینه بهره کلی آنتن در باند فرکانس طراحی شده نزدیک 10 دسیبل است.