بررسی اثر تابش گاما روی خواص الکتریکی ترانزیستور و دیود سیلیکونی برای کاربرد در دزیمتری دزهای بالا

در این مقاله، اثر تابش گاما روی خواص ترانزیستورهای دوقطبی و ماسفت و دیودهای شاتکی و معمولی برای دزیمتری بررسی و مقایسه شده است. برای پرتودهی گاما از دستگاه گاماسل حاوی چشمه کبالت 60  با فعالیت 5770 کوری واقع در سازمان انرژی اتمی تهران استفاده شد. آزمایش ها برای پرتودهی قطعات تحت دزهای  2، 4، 8، 16 و 32 کیلوگری انجام شدند. نتایج نشان داد که پرتودهی گاما در این محدوده دز، بطور قابل توجه ی بر پارامترهای قطعات الکترونیکی تاثیرگذار است. منحنی تغییرات دز نسبت  به جریان  خطی می باشد. دزیمترهای فردی را می توان به دو دسته ی فعال و غیرفعال تقسیم بندی کرد. در دزیمترهای غیرفعال فردی از آشکارسازهایی که توان نگهداری داده های ثبت شده برای مدت زمان طولانی را دارند استفاده میشود. آشکارسازهای حالت جامد ردپای هسته ای و گرمالیانی از مهم ترین گزینه های مورد استفاده، دزیمترهای غیرفعال هستند. با رشد و پیشرفت فناوری مواد نیمرسانا به ویژه سیلیسیم، دزیمترهای فعال فردی گاما بر پایه سیلیسیم توسعه ی خوبی یافته و آنها به جای فیلم بج های غیرفعال گاما مورد استفاده قرار گرفته اند.  ترانزیستورها و دیودهای سیلیسیمی به دلیل داشتن حجم کوچک، وزن کم، ولتاژ کاری پایین، قدرت تفکیک انرژی خوب، عملکرد ساده و سهولت حمل، بهترین ابزار برای استفاده به عنوان آشکارساز در دزیمتر فعال فردی گاما هستند.