تاثیر تلفیق میدان مغناطیسی و پاشش الکتریکی بر جهت گیری نانولوله های کربنی در ذرات جاذب کامپوزیتی هسته-پوسته آلژینات و جذب متیلن بلو

در تحقیق حاضر، اثرات میدان مغناطیسی و پاشش الکتریکی بر جهت گیری نانولوله های کربنی پایدارشده با عامل سطحی کربوکسیل در زمینه جاذب آلژینات-نانولوله های کربنی و هچنین بر جذب متیلن بلو مورد بررسی قرار گرفت. ویژگی های جاذب و عملکرد آن ها با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی نشر میدانی و طیف سنج مریی- فرابنفش بررسی شدند. تصاویر میکروسکوپی نشان داد که به واسطه دو ساعت قرارگرفتن کلویید آلژینات-نانولوله های کربنی در میدان مغناطیسی، با متوسط قدرت 318 میلی تسلا، نانولوله ها به طور قابل توجهی در زمینه پلیمری جهت گیری پیدا کردند. این در حالی است که پاشش قطرات کلوییدی تحت میدان الکتریکی تاثیر ناچیزی در همراستا سازی آن ها داشته و اساسا منجر به ریزسازی قطرات و افزایش نسبت سطح به حجم ذرات شده است. با تلفیق میدان های مغناطیسی و الکتریکی در حضور نانولوله ها، به میزان 92/2 درصد جذب متیلن بلو، در مقایسه با حالت صرفا پاشش الکتریکی (71 درصد) و صرفا پاشش الکتریکی بدون حضور نانولوله ها (59 درصد) به دست آمد. این تحقیق نشان داد که جهت گیری نانولوله های کربنی تحت میدان های مغناطیسی و الکتریکی در افزایش راندمان جذب آلاینده های زیست محیطی موثر بوده و می تواند منجر به تولید جاذب های اقتصادی تر شود.