بررسی روشهای دستیابی به شکاف نواری مطلوب در ساختارهای کریستال فونونیک دو بعدی

کریستال های فونونیک مواد پیشرفته ای هستند که از تکرار یک یا چند ماده (آخال) در یک ماده زمینه تشکیل می شوند. خصوصیت متمایز کننده این مواد، وجود شکاف نواری است. شکاف نواری کامل یک محدوده فرکانسی است که کریستال فونونیک از انتشار امواج الاستیک یا آکوستیک که فرکانس آن ها در آن محدوده قرار می گیرد در همه جهات جلوگیری می کند. به دلیل خصوصیت شکاف نواری، کریستال های فونونیک برای مدیریت انتشار امواج الاستیک مناسب هستند. در این پزوهش ساختار های کریستال فونونیک دو بعدی بررسی شده است. برای رسیدن به شکاف نواری مطلوب تا کنون کارهای زیادی روی ساختار کریستال فونونیک انجام شده است. در این مقاله تلاشهای فوق شامل دوران آخال های غیر دایره ای ، اضافه کردن یک آخال به سلول واحد اولیه، تغییر نوع شبکه و شکل آخال، کریستال فونونیک مرکب، کریستال فونونیک آشیانه ای ، کریستال فونونیک نامتجانس، کریستال فونونیک سلسله مراتبی و استفاده از مواد هوشمند در ساختار کریستال فونونیک مورد بررسی قرار گرفته است.