تاثیر افزودن جزئی عنصر سیلیسیم بر رفتار الکترومغناطیسی کامپوزیت های زمینه سرامیکی TiC/Ti3AlC2

در پژوهش حاضر تاثیر افزودن جزئی سیلیسیم بر رفتار ساختاری و الکترومغناطیس کامپوزیت های زمینه سرامیکی TiC/Ti3AlC2 مورد بررسی قرار گرفته است. در این راستا، برای سنتز کامپوزیت مورد نظر از فرایند آسیاب کاری و عملیات آنیل بهره گرفته شد. بررسی های ساختاری و فازی توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی، آنالیز حرارتی افتراقی و دستگاه پراش سنج پرتو ایکس و بررسی رفتار الکترومغناطیسی توسط دستگاه تحلیگر شبکه ای صورت گرفت. نتایج نشان داد که امکان سنتز ساختار کامپوزیتی TiC/Ti3AlC2 با افزودن جزئی سیلیسیم به صورت درجا وجود دارد. سیستم 2TiC-Al-Ti-0.2Si بهترین رفتار جذب امواج الکترومغناطیسی با تلفات انعکاس حدود 30/10- دسی بل در فرکانس تطبیق 15/1 گیگاهرتز را نشان داد. پس از عملیات آنیل در دمای 1400 درجه سانتی گراد، مشخص شد ساختار کامپوزیتی TiC/Ti3AlC2 حاصل از فرایند آسیاب کاری پایدار است ولی رفتار جذب الکترومغناطیسی تحت تاثیر قرار می گیرد. بدین گونه که کم ترین اتلاف بازتاب ترکیبات آنیل شده حدود 1- دسی بل بود.