بررسی خواص اپتیکی لایه های نازک مس بر زیرلایه شیشه با روش کرایمرز کرونیگ

مس با خلوص 99.97% را در ضخامت های متفاوت بر زیرلایه شیشه، به روش تبخیر در خلاء با آهنگ 2Ao/sec رشد داده ایم. طیف ضریب بازتاب (R) نمونه ها را در فرود تقریبا عمود در بازه طول موج 200nm<λ<3000nm با دستگاه طیف سنجی 500 Carry به دست آوردیم و با استفاده از آن، بخش حقیقی و موهومی ضریب شکست (n و k) و ضرایب دی الکتریک (ε2وε1) را با روش کرایمرز کرونیگ (K.K.) به دست آوردیم و با نمونه حجمی مقایسه کردیم. نتایج ما نشان می دهد به ازای E>2eV، با افزایش ضخامت بخش موهومی ضریب شکست، k، افزایش و بخش حقیقی ضریب شکست، n، کاهش می یابد و برای انرژی های بیشتر، برای همه ضخامت ها n به یک می گراید. قسمت حقیقی ضریب دی الکتریک، ε1، با افزایش ضخامت به مقادیر بزرگ منفی می رسد که نشانه ای از افزایش بازتاب است. به دلیل ناپیوستگی لایه و اثرات سطحی مانند تشکیل دانه ها، جزیره ها و تخلخل ها مقدار عبوری از لایه های نازک قابل توجه است و ضرایب اپتیکی و دی الکتریکی در بازه E>2eV تغییرات قابل توجهی نسبت به حالت حجمی از خود نشان می دهند. هنگامی که ضخامت لایه به 40 نانومتر می رسد، خواص آن به حالت حجمی نزدیک می شود. با افزایش ضخامت بسامد پلاسما افزایش می یابد چنانچه بسامد پلاسمای ضخامت 40 نانومتر به نمونه حجمی بسیار نزدیک است.