بررسی ویژگی های ساختاری و الکتریکی نانوکامپوزیت های دورگه ی Al2O3/PVP (به عنوان درگاه دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی آلی)

نمونه های پودری نانوکامپوزیت دورگه ای Al2O3/PVP به روش سل-ژل در دمای 80 درجه ی سانتی گراد سنتز شده اند. درصد وزنی پلی وینیل فنول و اکسید آلومینیوم برابر صفر، 28/0، 56/0 و 84/0 بوده است. برای بررسی ویژگی های نانوساختاری از روش فراپراشی پرتو ایکس، بیناب سنجی تبدیل فوریه فروسرخ، میکروسکوپ الکترونی روبشی، و میکروسکوپ نیروی اتمی استفاده شد. ثابت دی الکتریک نمونه ها با استفاده از روش GPS 132 A محاسبه شدند. برپایه ی نتایج بدست آمده بالاترین مقدار ثابت دی الکتریک در بسامد 120 کیلوهرتز وابسته به نمونه ی ریزنهشته با ترکیب وزنی 28/0 درصد از PVP(35 =k) و در بسامد 1 کیلوهرتز وابسته به نمونه ی ریزنهشته با ترکیب وزنی 56/0 درصد از PVP (26 = k) است. بنابراین در فرکانس 120 کیلوهرتز، نمونه ی ریزنهشته با ترکیب وزنی 28/0 درصد از PVP به سبب برخورداری از ضخامت معادل اکسیدی بالاتر، میزان زبری کمتر، خواص اهمی و I-V بهتر و کوچکی اندازه ریزبلورک ها (قطر شرر برابر با nm 45)، و ثابت دی الکتریک بالاتر و در نتیجه جریان نشتی کمتر، به عنوان درگاه دی الکتریک در ترانزیستورهای اثر میدانی توصیه می شوند.