ترابرد در دیودهای تونل زنی تشدیدی نقطه کوانتومی در رژیم غیربرهم کنشی

در این مقاله با استفاده از رهیافت تابع گرین، ترابرد را در یک دیود تونل زنی تشدیدی دوقطبی را در نظریه میکروسکوپی بررسی نموده ایم. برای این منظور با در نظر گرفتن هامیلتونی قسمت های مختلف دستگاه فوتوولتایی p-i-n به تفصیل، تابع گرین تک ذره ای الکترون ها و حفره ها را در تقریب تنگابست محاسبه کرده و سپس با استفاده از این تابع گرین محاسبه شده، چگالی موضعی حالت ها و چگالی جریان را به دست آورده ایم. نتایج نشان دهنده یک رفتار غیراهمی بوده و بیانگر یک مقاومت منفی در دیودهای تشدیدی تونل زنی است. علاوه بر این نتایج نشان می دهند که وجود یک میدان الکتریکی طولی منجر به این می شود که چگالی محلی حالت ها متناسب با پتانسیل اعمال شده تغییر نماید. علاوه بر این وارد نمودن نقاط کوانتومی باعث می شود که مقاومت دیفرانسیلی منفی ناشی از پدیده تونل زنی تشدیدی در دستگاه مشاهده شود. از نتایج محاسبات بر روی این دیودها می توان در محاسبه جریان تاریک سلول های خورشیدی استفاده نمود.