بررسی یکنواختی لایه نازک SiO2، تولید شده با روش تبخیر باریکه الکترون و تبخیر گرمایی

در این مقاله لایه نازک دی اکسید سیلیسیم، SiO2، با دو روش تولید شده است: در روش اول، SiO2 مستقیما توسط تفنگ الکترونی تبخیر می شود و هم زمان برای جبران کمبود اکسیژن، گاز اکسیژن به محیط تزریق می شود. در روش دوم، منواکسید سیلسیم، SiO، توسط تبخیر گرمایی بخار می شود و در حین تبخیر آن، زیر لایه با یون های اکسیژن که توسط یک منبع یون تولید شده اند بمباران می شود. ضریب شکست، ضریب خاموشی و ضخامت لایه به کمک حل عددی روابط عبور و بازتاب محاسبه شده اند. از میزان جابه جایی منحنی عبور مقدار نایکنواختی لایه محاسبه شده است. نتایج نشان می دهد که اگر مقدار جریان و انرژی یون های اکسیژن به طور مناسب انتخاب شوند، لایه SiO2 تولید شده در روش دوم، جذب ندارد. به علاوه لایه SiO2 تولید شده توسط روش دوم به مراتب یکنواخت تر از لایه تولید شده با روش اول می باشد.