تقویت کننده الکترونیکی مقاومت انتقالی برای شبکه های مخابرات نوری با ساختار جدید مبتنی بر پسخور فعال ولتاژ جریان

در این مقاله ساختاری جدید جهت تحقق تقویت کننده مقاومت انتقالی (TIA) پیشنهاد می شود. ساختار پیشنهادی با استفاده از یک ترانزیستور سورس پیرو و ترانزیستور سورس مشترک، به عنوان فیدبک ولتاژ-جریان، مقاومت ورودی و مقاومت خروجی را کاهش می دهد. در این ساختار به جای استفاده از مقاومت برای تبدیل جریان به ولتاژ، ترارسانایی ترانزیستور به ترا امپدانس تبدیل می شود و با تزریق جریان به درین ترانزیستور، خروجی ولتاژ مطلوب در گیت ایجاد می شود. سپس مداری بر اساس ساختار ارائه شده، پیشنهاد می شود. مدار پیشنهادی با تکنولوژی 0. 18 میکرومتر CMOS شبیه سازی شد و نتایج بهره برابر با dBΩ 59 با ریپل بهره کمتر از dBΩ 1 در پهنای باند GHz 8. 6 به دست آمد. توان مصرفی مدار mW 18 با منبع V 1. 8 و چگالی طیفی جریان نویز در ورودی 23 محاسبه شد. مقادیر بالا در حضور خازن پارازیتی 300fF فوتودیود در ورودی است. در ساختار جدید مصالحه های جدیدی ممکن می شود. این مصالحه ها درجات آزادی بیشتری را که در ساختارهای قبلی در دسترس نبود، فراهم می سازد.