طراحی و شبیه سازی یک مدار نمونه بردار و نگه دار جدید با دقت 12 بیت و نرخ نمونه برداری یک GS/s با استفاده از تکنیک نمونه برداری دوگانه

در این مقاله، یک مدار جدید نمونه بردار و نگه دار Sample and Hold (S&H) با دقت 12-bit و نرخ نمونه برداری 1 GS/s با استفاده از تکنیک نمونه برداری دوگانه پیشنهاد شده است. تکنیک نمونه برداری دوگانه این امکان را فراهم آورده است که مدار همیشه در فاز نگه داری عمل نماید که خود منجر به افزایش سرعت کل سیستم در مبدل های داده می شود. به منظور کاهش خطاهای ناشی از غیرخطی بودن سوئیچ های ورودی، از سوئیچ های انتقال Transmission Gate (TG) استفاده شده است چرا که مقاومت خطی تری نسبت سوئیچ MOS دارند. مدار S&H پیشنهادی در نرم افزار HSPICE و با فناوری های 180nm CMOS و 45nm CMOS شبیه سازی شده است. شبیه سازی مدار در هر دو فناوری با ولتاژ تغذیه 1. 8V انجام شده است و به ترتیب دارای 8mW و 300μW توان مصرفی هستند. از دیگر نتایج شبیه سازی می توان به مقدار 12-bit دقت در هر دو فناوری اشاره نمود که در فناوری 180nm برای فرکانس ورودی 50. 29MHz و در فناوری 45nm برای فرکانس ورودی 43. 45MHz بدست آمده است، درحالی که فرکانس نمونه برداری در هر دو فناوری برابر با 1GHz می باشد.