پیشنهاد یک طرح جدید به منظور افزایش بازده دیود گسیل نور گالیم نیتراید مبتنی بر بلور فوتونی

بازتاب داخلی کلی نور یکی از پدیده هایی است که باعث کاهش بازده دیود گسیل نور می شود. در این مقاله، با به کارگیری بلورهای فوتونی مبتنی بر حفره و کاهش بازتاب داخلی کلی نشان داده شد که بازده یک دیود گسیل نور GaN را می توان بیش از دو برابر افزایش داد. با بهره گیری از روش تفاضل محدود حوزه زمان و استفاده از 15 دوره تناوب با ثابت شبکه nm 680، ارتفاع حفره nm 210 و نسبت طول حفره به ثابت شبکه 0. 5 به ازای طول موج nm 400، بازده افزاره تا 2. 1 برابر افزایش یافت. شبیه سازی و مقایسه نتایج به دست آمده از آن به ازای طول موج های 400 و 465 نانومتر با پژوهش های دیگر نشان داد که به کارگیری افزاره پیشنهادی، امکان دست یابی به بازده بیش تری را فراهم می سازد.