بررسی خواص الکترونی نانوساختارهای n=1-5) C20-nGen , C20-nSin) به روش نظریه تابعی چگالی
نویسنده:
نوع مقاله:
مقاله پژوهشی/اصیل (دارای رتبه معتبر)
چکیده:
در این تحقیق نانو ساختارهایC20 bowl ، (n=1-5) C20-nSin وn=1-5) ) C20-nGenاز نظر پایداری ترمودینامیکی، گاف انرژی، هدایت الکتریکی و کاربرد آنها در سلول خورشیدی به کمک نظریه تابعی چگالی در سطح محاسبات کوانتومیLSDA/6-31G در دمای اتاق مورد بررسی و مقایسه قرار گرفته اند. پایدارترین ساختارها در 300 کلوین، C17Si3 و C15Ge5 نتیجه شده اند. نتایج نشان میدهند که تعداد استخلاف سیلیکون و یا ژرمانیم تاثیر منظمی بر گاف انرژی ندارد اما منجر به کاهش قابل ملاحظه گاف انرژی در همه ساختارها و افزایش هدایت الکتریکی میشود. کمترین گاف انرژی و بیشترین هدایت الکتریکی در C17Ge3 و C16Si4 بدست آمده است. گاف سطح انرژی تراز هومو ی جزء دهنده الکترون و سطح انرژی تراز لوموی جزء پذیرنده الکترون، فاکتور مهمی در انتقال الکترون بین دو ساختار با پتانسیل کاربرد فتو ولتائیکی است. دو ساختار C17Si3 بعنوان پذیرنده الکترون و C15Ge5 بعنوان دهنده الکترون، با ماکزیمم مقدار ولتاژ(Voc) (93/1ولت)، میتوانند در ساخت سلول خورشیدی بکار روند.
کلیدواژگان:
C20 Bowl ، استخلاف سیلیکون ، ژرمانیم ، نظریه تابعی چگالی ، گاف انرژی ، Voc
زبان:
فارسی
صفحات:
206 تا 217
لینک کوتاه:
magiran.com/p1968380
دانلود و مطالعه متن این مقاله با یکی از روشهای زیر امکان پذیر است:
اشتراک شخصی
با عضویت و پرداخت آنلاین حق اشتراک یکساله به مبلغ 1,390,000ريال میتوانید 70 عنوان مطلب دانلود کنید!
اشتراک سازمانی
به کتابخانه دانشگاه یا محل کار خود پیشنهاد کنید تا اشتراک سازمانی این پایگاه را برای دسترسی نامحدود همه کاربران به متن مطالب تهیه نمایند!
توجه!
- حق عضویت دریافتی صرف حمایت از نشریات عضو و نگهداری، تکمیل و توسعه مگیران میشود.
- پرداخت حق اشتراک و دانلود مقالات اجازه بازنشر آن در سایر رسانههای چاپی و دیجیتال را به کاربر نمیدهد.
In order to view content subscription is required
Personal subscription
Subscribe magiran.com for 70 € euros via PayPal and download 70 articles during a year.
Organization subscription
Please contact us to subscribe your university or library for unlimited access!