شیلد الکترومغناطیسی تنظیم پذیر بر پایه ساختارهای متناوب گرافنی در فرکانس های تراهرتز

با کشف ماده دوبعدی گرافن، ساخت و پیاده سازی مدارهای الکترونیکی در فرکانس های تراهرتز و نوری سرعت بیشتری پیدا کرده است. بنابراین مبحث شیلد الکترومغناطیسی در مدارهای تراهرتز و کاهش اثرات مخرب بخش های مختلف مدار بر یکدیگر حائز اهمیت است. در این مقاله با استفاده از ساختارهای متناوب گرافنی، دو نوع شیلد الکترومغناطیسی در فرکانس تراهرتز پیشنهاد می شود. باتوجه به قابلیت تنظیم پذیری رسانایی در گرافن، می توان شیلدهای پیشنهادی را در فرکانس کاری موردنظر تنظیم کرد. برای تسریع محاسبات ضریب کارایی شیلد، ابتدا مدلی مداری به فرم بسته برای ساختار گرافنی پیشنهاد شده و سپس با استفاده از روش خط انتقال کارایی شیلد محاسبه می شود. مقایسه نتایج به دست آمده با نتایج حاصل از نرم افزار تجاری CST-MWS دقت و سرعت بالای روش خط انتقال را نشان می دهد. در انتها تاثیر عواملی مانند تعداد لایه ها، ضخامت لایه های SiO2، پهنای نوارهای گرافن، فاصله بین دو سلول گرافن، تاثیر انرژی فرمی های مختلف و تابش مایل بر کارایی شیلد ساختارهای پیشنهادی مورد بحث قرار گرفته است که باعث می شود اطلاعات جامعی برای طراحی شیلد در اختیار خوانندگان محترم قرار گیرد.