بررسی رسانش الکترونی یک نانو نوار با ساختار مربعی شامل چند ناخالصی

در این مقاله با بهره گیری از روش تابع گرین و در رهیافت تنگابست، تاثیر حضور و چگونگی توزیع ناخالصی های الکتریکی را بر روی رسانش الکترونی یک نانونوار با ساختار مربعی مطالعه می کنیم. بدین منظور با به کار بردن یک تبدیل یکانی مناسب، مدهای رسانش را در قسمت های ایده آل جدا نموده و خود انرژی های مربوطه را به صورت تحلیلی به دست می آوریم. سپس با به کار گیری رابطه فیشرلی رسانش سامانه را به صورت الگوریتمی که سریعا توسط رایانه قابل محاسبه است، ارائه می کنیم. نتایج عددی نشان می دهد که توزیع ناخالصی های الکتریکی با انرژی های جایگاهی متفاوت، منجر به مقادیر متفاوتی از رسانش الکترونی در سامانه شده و به طور کلی باعث کاهش رسانش الکتریکی می شود.