فهرست مطالب نویسنده:
پروانه پروانه ایرانمنش
-
در کار حاضر، نانوساختارهای یک بعدی همراستا یا نانومیله های ZnO به روش نهشت حمام شیمیایی در دماهای کمتر از oC120 به کمک لایه جوانه زنی در شرایط مختلف مانند دما و غلظت حمام، ضخامت لایه جوانه زنی و بازپخت آن رشد کرده اند. ویژگی های ساختاری، ریختی و شیمیایی، و اپتیکی آرایه نانومیله های ZnO به ترتیب به وسیله پراش سنجی پرتوX ، میکروسکوپ الکترونی روبشی- گسیل میدانی بهمراه طیف سنجی پرتو X با پاشندگی انرژی FE-SEM/EDX و طیف سنجی جذبی UV-Vis-near IR بررسی می شوند. عملیات حرارتی پس از سنتز نانومیله ها افزایش در کیفیت بلوری نانومیله های رشد یافته با جهت گیری ترجیحی عمودی C به دنبال دارد. ارتفاع، قطر میانگین و چگالی نانومیله های به شدت همراستا بر لایه جوانه زنی ZnO به ترتیب در حدود nm190، nm52-31 وrods/μm2413-290 می باشند. بازپخت نانومیله ها در دمای oC400 باعث کاهش انرژی گاف نواری از مقدار eV29/3 برای نانومیله ها بدو-رشد به مقدار eV19/3 می شود. افزایش دمای حمام شیمیایی تا oC110 باعث جهت گیری رندوم نانومیله ها و کاهش انرژی گاف نواری می شود. بازپخت لایه جوانه زنی در بازه دمایی oC600-200 باعث کاهش در ارتفاع نانومیله ها، افزایش در قطر متوسط و کاهش در تراکم و همینطور کاهش در انرژی گاف نواری می شود. کاهش در ضخامت لایه جوانه زنی باعث کاهش در قطر نانومیله ها و افزایش تراکم آن ها می شود.کلید واژگان: نانوساختاریک بعدیZnO, تجزیه گرمایی, بازپخت, لایه جوانه زنیZnO, کندوپاش مگنترونی, آرایه نانو میله های همراستاNano scale, Volume:5 Issue: 4, 2019, PP 355 -368Well-aligned ZnO nanorods array have been synthesized through chemical bath deposition at law temperature (less than 120oC) using seed layer under different condition such as bath concentration and temperature, growth time, thickness of seed layer and it’s annealing. Structural, morphological, chemical and optical properties of ZnO nanorods array were studied by X-ray diffractometry, field emission-scanning electron microscopy/energy dispersive X-ray spectroscopy (FE-SEM/EDX) and UV-Vis-near IR optical absorption spectroscopy, respectively.The post-synthesized thermal treatment results in increased crystalline quality of nanorods as vertical c preffered orientation. The height, mean diameter and density of strongly well-oriented ZnO nanorods array are 190nm, 31-52 nm and 290-413 rods/μm2 on ZnO seed layer, respectively. The annealing of nanorods at 400oC causes to decrease in bandgap energy from 3.29eV for the as-grown nanorods to 3.19 eV. The increase in bath temperature to 110oC results in random direction of nanorods and decreasing in bandgap energy. The annealing of seed layer at temperature range of 200-600oC causes to increase in mean diameter and decrease in nanorods height and concentration and bandgap energy. The decrease in seed layer thickness causes to decrease in nanorods concentration.Keywords: ZnO one-dimensional nanostructure, Thermal decomposition, Annealing, ZnO seed layer, Magnetron sputtering, Well-aligned nanorods array
بدانید!
- در این صفحه نام مورد نظر در اسامی نویسندگان مقالات جستجو میشود. ممکن است نتایج شامل مطالب نویسندگان هم نام و حتی در رشتههای مختلف باشد.
- همه مقالات ترجمه فارسی یا انگلیسی ندارند پس ممکن است مقالاتی باشند که نام نویسنده مورد نظر شما به صورت معادل فارسی یا انگلیسی آن درج شده باشد. در صفحه جستجوی پیشرفته میتوانید همزمان نام فارسی و انگلیسی نویسنده را درج نمایید.
- در صورتی که میخواهید جستجو را با شرایط متفاوت تکرار کنید به صفحه جستجوی پیشرفته مطالب نشریات مراجعه کنید.