به جمع مشترکان مگیران بپیوندید!

تنها با پرداخت 70 هزارتومان حق اشتراک سالانه به متن مقالات دسترسی داشته باشید و 100 مقاله را بدون هزینه دیگری دریافت کنید.

برای پرداخت حق اشتراک اگر عضو هستید وارد شوید در غیر این صورت حساب کاربری جدید ایجاد کنید

عضویت

جستجوی مقالات مرتبط با کلیدواژه "بازپخت" در نشریات گروه "علوم پایه"

جستجوی بازپخت در مقالات مجلات علمی
  • احمد رمضانی مقدم آرانی*، سید احسان روزمه

    تغییرات بزرگ امپدانس الکتریکی رساناهای مغناطیسی در حضور میدان مغناطیسی،  امپدانس مغناطیسی بزرگ (GMI)  و وابستگی آن   به جهت میدان مغناطیسی، اثر نامتقارنی امپدانس مغناطیسی(AGMI) نامیده می شود.  میزان حساسیت به مقدار و جهت میدان مغناطیسی اعمالی و همچنین میزان خطی بودن GMI از جمله پارامترهای اساسی در زمینه استفاده از کمیت مذکور در توسعه ی حسگرهای مغناطیسی هستند.  استفاده از شرایط بازپخت مناسب ضمن کاهش تنش های داخلی ضمن ساخت، ایجاد نظم بلورین، و القای ناهمسانگردی مغناطیسی، می تواند بهینه پاسخ GMI را به سادگی قابل کنترل کند. در این پژوهش  اثر مدت زمان تابش دهی با پرتوهای گامای حاصل از دو چشمه Co60 و Cs137 بر  نامتقارنی امپدانس مغناطیسی آلیاژ آمورف Co68.15Fe4.35Si12.5B15  مورد مطالعه قرار گرفت. بهینه زمان بهبود امپدانس مغناطیسی برای چشمه ی Co60  به مدت 30 ساعت و چشمه ی Cs137  به مدت 24 ساعت بدست آمد. نقش پراش پرتوx حاصل از نمونه نشان دهنده خروج نمونه ها از حالت آمورف و تشکیل بلورک ها است. اثرات  ناشی از پرتوهای چشمه  Cs137 نمونه را از نظر مغناطیسی نرمتر کرده و پاسخ نمونه را به میدان های مغناطیسی حول میدان ناهمسانگردی بویژه در نمونه بازپختی در 24 ساعت افزایش قابل ملاحظه ای داده که در نتیجه این نمونه را نسبت به دیگر نمونه ها برای کاربرد حسگری مناسب تر گردانیده است.

    کلید واژگان: : امپدانس مغناطیسی, بازپخت, پرتو گاما, آلیاژ آمورف, حسگرهای مغناطیسی
    Ahmad Ramazani-Moghaddam-Arani*, Sayed Ehsan Roozmeh

    The giant magneto impedance (GMI) effect is a large variation in the electrical impedance of a magnetic conductor when subjected to a static magnetic field. The sensitivity to the direction (AGMI) and magnitude of applied  magnetic field    and also linearity levels   of this  effect are three important parameters in magnetic sensors application. A suitable annealing procedure can be used to achieve an optimum response of GMI by reducing the quenched-in internal stresses and induces transverse magnetic anisotropy.  In this research the effect of irradiation of gamma rays from two gamma sources (60Co, 137Cs) on the asymmetry of GMI  of Co68.15Fe4.35Si12.5B15  amorphous alloy is studied. The optimum asymmetry of studied sample obtained after 30 (24) hours irradiation by photons emitted by 60Co (137Cs) source. The X-ray diffraction pattern shows a transition from amorphous phase to a crystalline phase in  samples. Results  show that induced changes by irradiation with 137Cs source leads to a better sensitivity  to  direction of applied magnetic field especially in case of irradiated sample for 24 hours. This sample can be considered a good magnetic sensor candidate.

    Keywords: Magneto impedance, Annealing, Gamma ray, Amorphous alloys, Magnetic sensors
  • ندا شاهی، علی رحمتی*، پروانه پروانه ایرانمنش
    در کار حاضر، نانوساختارهای یک بعدی همراستا یا نانومیله های ZnO به روش نهشت حمام شیمیایی در دماهای کمتر از oC120 به کمک لایه جوانه زنی در شرایط مختلف مانند دما و غلظت حمام، ضخامت لایه جوانه زنی و بازپخت آن رشد کرده اند. ویژگی های ساختاری، ریختی و شیمیایی، و اپتیکی آرایه نانومیله های ZnO به ترتیب به وسیله پراش سنجی پرتوX ، میکروسکوپ الکترونی روبشی- گسیل میدانی بهمراه طیف سنجی پرتو X با پاشندگی انرژی FE-SEM/EDX و طیف سنجی جذبی UV-Vis-near IR بررسی می شوند. عملیات حرارتی پس از سنتز نانومیله ها افزایش در کیفیت بلوری نانومیله های رشد یافته با جهت گیری ترجیحی عمودی C به دنبال دارد. ارتفاع، قطر میانگین و چگالی نانومیله های به شدت همراستا بر لایه جوانه زنی ZnO به ترتیب در حدود nm190، nm52-31 وrods/μm2413-290 می باشند. بازپخت نانومیله ها در دمای oC400 باعث کاهش انرژی گاف نواری از مقدار eV29/3 برای نانومیله ها بدو-رشد به مقدار eV19/3 می شود. افزایش دمای حمام شیمیایی تا oC110 باعث جهت گیری رندوم نانومیله ها و کاهش انرژی گاف نواری می شود. بازپخت لایه جوانه زنی در بازه دمایی oC600-200 باعث کاهش در ارتفاع نانومیله ها، افزایش در قطر متوسط و کاهش در تراکم و همینطور کاهش در انرژی گاف نواری می شود. کاهش در ضخامت لایه جوانه زنی باعث کاهش در قطر نانومیله ها و افزایش تراکم آن ها می شود.
    کلید واژگان: نانوساختاریک بعدیZnO, تجزیه گرمایی, بازپخت, لایه جوانه زنیZnO, کندوپاش مگنترونی, آرایه نانو میله های همراستا
    N. Shahi, A. Rahmati*, P. Iranmanesh
    Well-aligned ZnO nanorods array have been synthesized through chemical bath deposition at law temperature (less than 120oC) using seed layer under different condition such as bath concentration and temperature, growth time, thickness of seed layer and it’s annealing. Structural, morphological, chemical and optical properties of ZnO nanorods array were studied by X-ray diffractometry, field emission-scanning electron microscopy/energy dispersive X-ray spectroscopy (FE-SEM/EDX) and UV-Vis-near IR optical absorption spectroscopy, respectively.The post-synthesized thermal treatment results in increased crystalline quality of nanorods as vertical c preffered orientation. The height, mean diameter and density of strongly well-oriented ZnO nanorods array are 190nm, 31-52 nm and 290-413 rods/μm2 on ZnO seed layer, respectively. The annealing of nanorods at 400oC causes to decrease in bandgap energy from 3.29eV for the as-grown nanorods to 3.19 eV. The increase in bath temperature to 110oC results in random direction of nanorods and decreasing in bandgap energy. The annealing of seed layer at temperature range of 200-600oC causes to increase in mean diameter and decrease in nanorods height and concentration and bandgap energy. The decrease in seed layer thickness causes to decrease in nanorods concentration.
    Keywords: ZnO one-dimensional nanostructure, Thermal decomposition, Annealing, ZnO seed layer, Magnetron sputtering, Well-aligned nanorods array
  • رضا شکوری، بابک محمد حسینی
    در این مقاله اثر دما بر روی ضریب شکست لایهمنیزیم فلوراید، MgF2، بررسی شده است. لایه های MgF2 با استفاده از تفنگ الکترونی بر روی زیر لایه شیشه ای (ΒΚ7) در دمای متفاوت 25، 100 ، 200، و C° 300 انباشته شده اند. نرخ انباشت لایه در همه نمونه ها مقدار پنج تا شش انگسترم بر ثانیه است، Å/s 6-5R=. طیف عبور نمونه ها با استفاده از اسپکتروفوتومتر در محدوده طول موجی nm1800-400 اندازه گیری شده اند. نمونه لایه نشانی شده در دمای آزمایشگاه به مدت دو ساعت در دمای C° 300، بازپخت شده است. سپس ضریب شکست نمونه ها با سه روش محاسبه شده اند. ضرایب شکست حاصل از سه روش توافق خوبی با یکدیگر دارند. نتایج نشان می دهند که با افزایش دما از دمای محیط آزمایشگاه تا دمای C° 300، ضریب شکست لایه منیزیم فلوراید به صورت خطی از 32/1 n=تا 39/1n=، افزایش می یابد. به علاوه، ضریب شکست نمونه لایه نشانی شده در دمای آزمایشگاه بعد از بازپخت شدن در مقایسه با قبل از بازپخت شدن به طور چشمگیری افزایش یافته است. از طرف دیگر نمونه بازپخت شده مقدار کمی جذب دارد.
    کلید واژگان: ضریب شکست, ضریب خاموشی, منیزیم فلوراید, بازپخت
    Reza Shakouri, Babak Mohammad Hosayni
    In this paper, the effects of temperature on the refractive index layer of magnesium fluoride, MgF2, is investigated. The layers, using the electron gun, in temperatures of different 25,100,200,300 °C and were deposited on the glass substrate (BK7). In all samples, the deposition rate was Å/C. Transmission spectra of samples, using a spectrophotometer at wavelengths 400-800nm were determined. The sample produced at room temperature was annealed for 2 hours at 300°C. Then, indexes of refraction of samples were calculated using three methods. The refractive indexes according to the methods were in a good agreement with one another. The results showed that by increasing the temperature from laboratory temperature to 300 °C, the refractive index of magnesium fluoride increased as a linear function from n=1.32 to n=1.39. Moreover, the index of refraction of the annealed sample increased conspicuously while the annealed sample showed some absorption.
    Keywords: index of refractive, extinction coefficient, magnesium fluoride, anneal
  • وحیدرضا زاهدی، پرویز کاملی*، محسن حکیمی، هادی سلامتی
    در این تحقیق آلیاژ حافظه پذیر فرومغناطیسNi50Mn34In16 با استفاده از روش آلیاژسازی مکانیکی ساخته شد. بررسی الگوی پراش پرتوی ایکس نمونه ها نشان داد که ساختار ترکیب در پایان ساعت دهم آسیاب کاری به طور کامل شکل گرفته و ادامه آسیاب کاری موجب ریزتر شدن اندازه دانه ها می شود. همچنین نقش بازپخت در بهبود ویژگی های آلیاژ مطالعه شد و مشخص شد که با بازپخت نمونه در دمای C°900 و سردسازی سریع آن می توان به ترکیبی با ساختار بلوری منظم L21 دست یافت. اندازه گیری پذیرفتاری متناوب مغناطیسی نشان داد که برای وقوع گذار مغناطیسی، بازپخت و سردسازی سریع نمونه آسیاب شده ضروری است.
    کلید واژگان: حافظه پذیری فرومغناطیس, آلیاژسازی مکانیکی, بازپخت, سردسازی سریع
    V.R. Zahedi, P. Kameli*, M. Hakimi, H. Salamati
    In this research, Ni50Mn34In16 ferromagnetic shape memory alloy has been prepared by mechanical alloying method. XRD patterns of the samples showed that after 10 hours of ball milling, the alloy structure was completely formed and continuing of the milling process led to more fine particle size. Also the role of annealing on improvement of the alloy properties was studied. It was found that the sample annealing at 900ºC followed by quenching improves the crystal structure and helps to reach L21 structure. Ac susceptibility measurements showed that for the occurrence of magnetic transition, annealing and quenching process on the ball milled powder is necessary.
    Keywords: annealing, ferromagnetic shape memory, mechanical alloying, quenching
  • صدیقه سلیمیان، صابر فرجامی شایسته *

    نانو بلور هایCdS:Mn طی فرایندهای رشد و جوانه زنی در محلول کلوئیدی ساخته شدند. اندازه اپتیکی نانوذرات تهیه شده در گستره nm96/3 تا nm9/4 قرار دارند. خواص ساختاری نانو ذرات با استفاده از آنالیز پراش پرتو ایکس مورد بررسی قرار گرفت. گذار فاز بین ساختار ششگوشی و مکعبی به صورت تابعی از دمای ستنز رخ داد. سازوکار گذار فاز بلوری در اثر فرآیند بازپخت دو ساعته و دو مرحله ای نیز مشاهده شد.

    کلید واژگان: نانوبلور نیمرسانا, بازپخت, گذار فاز, CdS:Mn
    S. Salimian, S. Farjami Shayesteh

    CdS: Mn nanocrystals were obtained by nucleation and growth in colloidal solution. Their mean size range between 3.96 nm and 4.90 nm. The structural properties were studied by the use of X-ray diffraction (XRD). Phase transition between the hexagonal structure and cubic structure was evidenced to be a function of synthesis temperature. The mechanism of the phase transition also was revealed by two-step annealing for 2h.

  • ایرج کاظمی نژاد، امیر براتی
    در این تحقیق بس لایه های فلزی Ni-Cu/Cu با ضخامت زوج لایه متفاوت بر روی زیرلایه های Cu با بافت قوی (100) به روش الکتروانباشت تهیه گردیدند. سپس ساختار این نمونه ها توسط دستگاه XRD و میکروسکپ SEM مورد مطالعه و بررسی قرار گرفت. قله های اقماری موجود در طیف XRD ساختار بس لایه ای و در نتیجه ابرشبکه بودن فیلمها را موردتایید قرار داد. این طیف نشان داد که بس لایه ها نیز دارای یک بافت قوی (100) و ساختار شبکه ای fcc همانند زیرلایه هستند که بیانگر یک رشد روآراستی است. از آنالیز SEM نمونه ها مشخص شد که سطح نمونه ها از یکنواختی کاملی برخوردار نیست. از کاهش درصد وزنی اتمهای Ni تعیین شده توسط آنالیز EDX نسبت به مقدار اسمی آن ملاحظه گردید این اختلاف به دلیل احیاء یونهای هیدروژن به هنگام رشد و در نتیجه غیر صدرصد بودن بهره جریان اتفاق می افتد. در بخش دوم ساختار برخی از نمونه ها پس از بازپخت در دماها و زمانهای مختلف مورد مطالعه واقع گردیدند. طیف XRD نمونه ها بعد از بازپخت نشان داد که با افزایش دما و زمان پخت، شدت قله های مربوط به بس لایه ها و قله های اقماری کاهش می یابند وتیزی فصل مشترک بین لایه ها با افزایش این دو پارامتر ضعیفتر شده و ساختار نمونه ها به سمت ساختار آلیاژی متمایل می شود. همچنین از تصویر SEM نمونه ها بعد از بازپخت مشخص گردید که با افزایش دما و زمان پخت شکل و اندازه دانه ها به دلیل پخش آنها در یکدیگر تغییر کرده و ریخت شناسی سطح به طور کامل دگرگون شده و به سمت یک سطح یکنواخت تر متمایل می شود.
    کلید واژگان: الکتروانباشت, بس لایه Ni, Cu, Cu, فیلم فوق نازک, بازپخت
نکته
  • نتایج بر اساس تاریخ انتشار مرتب شده‌اند.
  • کلیدواژه مورد نظر شما تنها در فیلد کلیدواژگان مقالات جستجو شده‌است. به منظور حذف نتایج غیر مرتبط، جستجو تنها در مقالات مجلاتی انجام شده که با مجله ماخذ هم موضوع هستند.
  • در صورتی که می‌خواهید جستجو را در همه موضوعات و با شرایط دیگر تکرار کنید به صفحه جستجوی پیشرفته مجلات مراجعه کنید.
درخواست پشتیبانی - گزارش اشکال