جستجوی مقالات مرتبط با کلیدواژه "نقطه کوانتومی مخروطی-شکل inas" در نشریات گروه "فیزیک"

تکرار جستجوی کلیدواژه «نقطه کوانتومی مخروطی-شکل inas» در نشریات گروه «علوم پایه»

جستجوی نقطه کوانتومی مخروطی-شکل inas در مقالات مجلات علمی

انتخاب همه

بررسی خواص نوری گذار مقید به پیوسته درون نواری نقطه ی کوانتمی مخروطی شکل InAs/GaAs همراه با لایه خیس: تحت اعمال میدان های الکتریکی و مغناطیسی

رقیه پرویزی*، سحر دهقانی، قاسم رضایی

نشریه پژوهش سیستم های بس ذره ای، سال هشتم شماره 3 (پیاپی 18، پاییز 1397)، صص 43 -51

ددر این مقاله، اثر میدان های الکتریکی و مغناطیسی بر خواص نوری نفاط کوانتمی مخروطی شکل InAs/GaAs همراه با لایه خیس بررسی شده است. ابتدا با استفاده از روش محاسباتی اجزای محدود و بهره گیری از تقریب جرم موثر، معادله شرودینگر برای نقطه کوانتمی مخروطی- شکل همراه با لایه خیس حل شد و توابع پوش، ترازهای انرژی حالت پایه و تراز لایه خیس به دست آمدند. سپس با استفاده از توابع پوش الکترون، دوقطبی های گذار محاسبه شدند و وابستگی آن ها به میدان های الکتریکی ومغناطیسی مشخص شدند و در نهایت به بررسی خواص نوری پرداخته شد. با اعمال میدان الکتریکی و مغناطیسی در راستای رشد نقطه کوانتومی محدودیت کوانتومی الکترون را می توان کنترل کرد. به علت وابستگی دوقطبی های گذار به حضور میدان، مقایسه نتایج نشان می دهد که با افزایش میدان مغناطیسی قله های ضریب جذب و شکست خطی وغیر خطی بلندتر و به سمت طول موج های کوتاه تر می رود. در حالیکه با افزایش میدان الکتریکی تغییرات جزیی در جابه جایی قله های ضریب جذب و شکست خطی وغیر خطی، به سمت طول موج های بلند تر قابل مشاهده است.

کلید واژگان: نقطه کوانتومی مخروطی-شکل InAs, GaAs? لایه خیس, خواص نوری, دوقطبی گذار

چکیده مشاهده متن مقاله پژوهشی/اصیل زبان: فارسی

Investigation on the Optical Properties of Polarized Bound-to-Continuum Intrsubband Transition for InAs/GaAs Quantum Dots: Electric and Magnetic Field Effects

roghayeh parvizi*, sahar dehghani, ghasem rezaee

Journal of Research on Many - body Systems, Volume:8 Issue: 3, 2018, PP 43 -51

Abstract: In this paper, the impact of electric and magnetic field effects on the electronic, linear and nonlinear optical properties of bound to continuum states transitions are investigated in a system of InAs/GaAs conical shaped quantum dot. The electronic structure, containing two main states of S and wetting layer states (WL), was calculated by solving one electronic band Hamiltonian with effective-mass approximation. In order to predict the optical properties of this model, transition dipole moment (TDM) for bound-to-continuum (P-to-WL) transition were studied. The results reveal that with increasing the electric and magnetic fields strength, the absorption and refractive index coefficients’ peaks increase. The physical reasons behind these interesting phenomena were also explained based on the electronic features of the z-polarized intersubband transition.

Keywords: InAs, GaAs quantum dot, wetting layer, z-polarized transition, bound-to-continuum transition, electric, magnetic field effect

Abstract View Paper Research/Original Article Original: Persian

نکته

نتایج بر اساس تاریخ انتشار مرتب شده‌اند.
کلیدواژه مورد نظر شما تنها در فیلد کلیدواژگان مقالات جستجو شده‌است. به منظور حذف نتایج غیر مرتبط، جستجو تنها در مقالات مجلاتی انجام شده که با مجله ماخذ هم موضوع هستند.
در صورتی که می‌خواهید جستجو را در همه موضوعات و با شرایط دیگر تکرار کنید به صفحه جستجوی پیشرفته مجلات مراجعه کنید.

به جمع مشترکان مگیران بپیوندید!

جستجوی مقالات مرتبط با کلیدواژه "نقطه کوانتومی مخروطی-شکل inas" در نشریات گروه "فیزیک"