به جمع مشترکان مگیران بپیوندید!

تنها با پرداخت 70 هزارتومان حق اشتراک سالانه به متن مقالات دسترسی داشته باشید و 100 مقاله را بدون هزینه دیگری دریافت کنید.

برای پرداخت حق اشتراک اگر عضو هستید وارد شوید در غیر این صورت حساب کاربری جدید ایجاد کنید

عضویت

جستجوی مقالات مرتبط با کلیدواژه « نانونوار » در نشریات گروه « فیزیک »

تکرار جستجوی کلیدواژه « نانونوار » در نشریات گروه « علوم پایه »
  • اسماعیل عبدالحسینی سارسری، فرهاد فردوسی

    آرسنین یکی از اعضای گروه بزرگی از ساختارهای دو بعدی است که در پروژه حاضر ساختار تک‌لایه و نانونوارهای آن را بر پایه نظریه تابعی چگالی مورد بررسی قرار داده‌ایم. در این بررسی پس از محاسبه ساختار نواری تک‌لایه، اثر عرض را بر ساختار نواری نانونوارها از زاویه پدیده محدود شدگی کوانتمی مورد بحث قرار داده‌ایم. نتایج اثر متفاوت پدیده محدود شدگی کوانتمی بر نقاط مختلف هر نوار در ساختار نواری را نشان می‌دهد که عامل گذار گاف غیر مستقیم به مستقیم در اثر کاهش عرض نانونوارهای آرمچیر است. همچنین خواص رسانندگی الکتریکی تک‌لایه آرسنین از طریق محاسبه تحرک‌پذیری حامل‌های بار به دست آمده و اثر کرنش تک محوری ساختار بلوری بر آنها بررسی شده است. برای بررسی تحرک‌پذیری، از نقص‌های ساختار بلوری صرف نظر شده و تنها پراکندگی فونونی بر مبنای رابطه تاکاگی مد نظر قرار گرفته است. در این روند تمرکز بر دقت کمی مقادیر به دست آمده برای تحرک‌پذیری حامل‌های بار نبوده و ناهمسانگردی موجود بین تحرک‌پذیری در دو راستای آرمچیر و زیگراگ محوریت بحث را به خود اختصاص داده است. نتایج محاسبات حاکی از ناهمسانگردی قابل توجه تحرک‌پذیری در دو راستای آرمچیر و زیگزاگ و تاثیر بسزای کرنش تک محوری ساختار بلوری بر آن است. همچنین تفاوت چشمگیری بین تحرک‌پذیری الکترون‌ها و حفره‌ها در راستای آرمچیر از جمله نتایج کلیدی قابل اشاره است‏.

    کلید واژگان: تک لایه, نانونوار, ساختار نواری, آرسنین, تحرک پذیری, ناهمسانگردی}
    I. Abdolhosseini Sarsari, F. Ferdowsi

    Arsenene is one of the members of a large group of two-dimensional structures that in the present project, we have investigated the single layer structure and its nanoribbons based on density functional theory. In this study, after calculating the single layer band structure, we discussed the effect of width on the band structure of nanoribbon from the angle of quantum limiting phenomenon. The results show the different effect of quantum limiting phenomenon on different points of each band in the band structure, which is the cause of indirect-direct gap transition due to the reduction of the width of armchair nanoribbon. Also, the electrical conductance properties of arsenene single layer have been obtained by calculating the mobility of load carriers and the effect of uniaxial strain of crystalline structure on them has been investigated. In order to investigate the mobility, crystalline structure defects have been neglected and only phonon dispersion is considered based on Takagi relationship. In this process, the focus is not on the quantitative accuracy of the obtained values for the mobility of load carriers and the existing anisotropy between mobility in the two directions of armchair and zigzag has been the focus of the discussion. The results of the calculations show a significant anisotropy of mobility in the two directions of armchair and zigzag and the effect of uniaxial strain of crystal structure on it. Also, a significant difference between the mobility of electrons and holes in the direction of armchair is one of the key results.

    Keywords: nanoribbon, bandstructure, mobility, anisotropy}
  • علیرضا دولت آبادی*

    تاکنون بیشتر پژوهش ‏ها و بررسی‏ ها پیرامون جذب و انتشار امواج پلاسمون سطحی بر گرافین و الگوهای مختلف ایجاد شده بر آن، بر اساس لایه‏ های نشانده شده بر زیرلایه های همسانگرد بوده است. در این مقاله، ابتدا ساختار گرافین بر زیرلایه نیترید بور هگزاگونال، به‏ عنوان یک زیرلایه ناهمسانگرد، ضریب گذردهی الکتریکی موثر و ضریب بازتاب آن، و نیز امکان کنترل آنها از طریق تغییر در تراز پتانسیل شیمیایی گرافین مطالعه می ‏شود. در ادامه، ویژگی‏ های انتشار امواج پلاسمون سطحی، بر نانونوارهای گرافین نشانده شده بر این زیرلایه ناهمسانگرد تک ‏محوره به‏ صورت تحلیلی و شبیه ‏سازی بررسی می‏ شود. به‏ کارگیری چنین زیرلایه ‏هایی می‏ تواند تلفات انتشار را در مقایسه با دیگر زیرلایه‏ ها به‏ میزان قابل توجهی کاهش دهد. نتایج این بررسی می ‏تواند در تحلیل جاذب‏ ها و آرایه ‏هایی متناوب از نانونوار گرافین بر زیرلایه‏ های نیترید بور هگزاگونال به‏ کار گرفته شود.

    کلید واژگان: پلاسمون سطحی, جاذب, گرافین, نانونوار, نیترید بور هگزاگونال}
    Alireza Dolatabady *

    So far, most of researches and investigations have been based on absorption and surface plasmon waves propagation on graphene and its various realized patterns mounted over isotropic substrates. In this paper, at first the structure of graphene over hexagonal boron nitride, as an anisotropic substrate, its effective permittivity and reflection coefficient, and also, the possibility of their tuning through change in graphene Fermi level, is studied. Then, characteristics of surface plasmon waves propagation on graphene nano-ribbons mounted over uniaxial anisotropic substrate are investigated analytically and numerically. Employing such substrates can decrease propagation loss in comparison with other substrates dramatically. The results of this investigation can be utilized in analysis of absorbers and periodic arrays of graphene nano-ribbon over hexagonal boron nitride substrates.

    Keywords: Absorber, Graphene, HBN, Nano-Ribbon, Surface Plasmon}
  • مرضیه جمشیدی فارسانی، حسن ربانی*، محمد مردانی
    در این مقاله با بهره گیری از روش تابع گرین و در رهیافت تنگابست، تاثیر حضور و چگونگی توزیع ناخالصی های الکتریکی را بر روی رسانش الکترونی یک نانونوار با ساختار مربعی مطالعه می کنیم. بدین منظور با به کار بردن یک تبدیل یکانی مناسب، مدهای رسانش را در قسمت های ایده آل جدا نموده و خود انرژی های مربوطه را به صورت تحلیلی به دست می آوریم. سپس با به کار گیری رابطه فیشرلی رسانش سامانه را به صورت الگوریتمی که سریعا توسط رایانه قابل محاسبه است، ارائه می کنیم. نتایج عددی نشان می دهد که توزیع ناخالصی های الکتریکی با انرژی های جایگاهی متفاوت، منجر به مقادیر متفاوتی از رسانش الکترونی در سامانه شده و به طور کلی باعث کاهش رسانش الکتریکی می شود.
    کلید واژگان: رسانش الکترونی, نانونوار, ناخالصی الکتریکی, تابع گرین}
    M Jamshidi Farsani, H Rabani*, M Mardaani
    In this paper, we study the electronic conductance of a nanoribbon with square lattice by using Green’s function theory within the tight-binding approach. For this purpose, we separate the conductance modes in the ideal parts by using a suitable unitary transformation in order to obtain the analytic formula for the corresponding self-energies. Then, we present a fast computer algorithm based on the Fisher-Lee formula for the calculation of the system conductance. The results show that the distribution of electrical impurities with different on-site energies leads to the different values of the system electronic conductance and it is generally decreasing.
    Keywords: electronic conductance, nanoribbon, electrical impurity, Green’s function}
  • شاهدخت سهرابی ثانی*، سمیرا پولادی
    در این پژوهش خواص ساختاری و الکترونی نانونوارهای گالیوم نیترید لبه زیگزاگ هیدروژنه با عرض های 19.2، 24.85، 30.49 و 36.14 آنگستروم که متناظر هستند با شماره های زنجیره زیگزاگ 3، 5، 7 و 9 با استفاده از اصول اولیه و روش نظریه تابعی چگالی بررسی شده است. این بررسی ها با استفاده از امواج تخت تقویت شده خطی با پتانسیل کامل FP-LAPW و کاربرد تقریب شیب تعمیم یافته برای پتانسیل تبادل همبستگی صورت گرفته است. چگالی حالت های کل و چگالی حالت های جزئی و چگالی ابر الکترونی رسم شده است. این محاسبات نشان می دهند که همه نانونوارهای مطالعه شده نیم رسانا هستند و نانونوار دارای عرض 3 شکاف انرژی 2.687 الکترون ولت، عرض 5 شکاف انرژی 2.304 الکترون ولت، عرض های 7 و9 به ترتیب شکاف انرژی 2.107 و2.008 الکترون ولت دارند و با افزایش عرض نوار، شکاف نواری کاهش می یابد. همچنین، نتایج نشان می دهند نانونوارهای گالیوم نیترید لبه زیگزاگ هیدروژنه با عرض های 3 ، 5، 7 و 9 غیرمغناطیسی هستند. چگالی حالت های جزئی نشان می دهد که در نانونوارهای باریک تر، اتم های واقع در لبه نسبت به اتم های میانی سهم بیشتری در چگالی حالت ها دارند.
    کلید واژگان: نظریه تابعی چگالی, نانونوار, گالیوم نیتراید, خواص الکترونی, چگالی حالت ها}
    Shahdokht Sohrabi Sani *, Samira Pouladi
    The structural and electronic properties of the hydrogenated zigzag GaN nanoribbons with different widths 19.2, 24.85, 30.49 and 36.14 Å corresponding to numbers of the zigzag chain, 3, 5, 7, 9, have been studied. Density functional theory with full potential augmented plane wave approach and the generalized gradient approximation (GGA) are used for exchange-correlation functional. The curves of total and partial density of states and electronic density of the nanoribbons were drawn. These computations show that all of the nanoribbons have semiconducting behavior. Values of energy gap of the nanoribbons are 2.687 eV, 2.304 eV, 2.107 eV and 2.008 eV for the ribbons with 3, 5, 7 and 9 width, respectively. With increasing the width of the nanoribbons, the band gap is decreased. Also, these nanoribbons do not have magnetic property. In addition, in narrower ribbon, the partial density of states shows that the edge atoms have more constitution than that of inner atoms in density of states.
    Keywords: density functional theory, Nanoribbon, GaN, Electronic properties, Density of states}
نکته
  • نتایج بر اساس تاریخ انتشار مرتب شده‌اند.
  • کلیدواژه مورد نظر شما تنها در فیلد کلیدواژگان مقالات جستجو شده‌است. به منظور حذف نتایج غیر مرتبط، جستجو تنها در مقالات مجلاتی انجام شده که با مجله ماخذ هم موضوع هستند.
  • در صورتی که می‌خواهید جستجو را در همه موضوعات و با شرایط دیگر تکرار کنید به صفحه جستجوی پیشرفته مجلات مراجعه کنید.
درخواست پشتیبانی - گزارش اشکال