جستجوی مقالات مرتبط با کلیدواژه "high frequency" در نشریات گروه "برق"
تکرار جستجوی کلیدواژه «high frequency» در نشریات گروه «فنی و مهندسی»-
Islanding detection is essential for reliable and safe operation of systems with distributed generations (DG). In systems with multiple DGs, the interaction between DGs can make the islanding detection process more challenging. To address this concern, this paper proposes a two-stage islanding detection method for power systems equipped with multiple-DGs through estimation of high frequency impedance (Zf) and determination of the total harmonic distortion (THD). The impedances of the DGs are estimated at distinct frequencies to avoid interval overlaps. The concept of different frequency bands makes the proposed method applicable to multiple DG systems. To evaluate the effectiveness of the proposed method, a test system with multiple DGs is simulated through several case studies in PSCAD/EMTDC. The simulation results demonstrate the accuracy of the proposed islanding detection method in both single and multi-DG systems. It is also shown that the proposed method remains robust under different operating conditions and events.
Keywords: Islanding Detection, Decentralized Method, High Frequency, Impedance Estimation, Multi-DG -
نشریه عصر برق، پیاپی 13 (تابستان 1399)، صص 35 -40
بدون شک عناصر حافظه دار انقلاب جدیدی در صنعت الکترونیک ایجاد کرده است، که باعث می شود از خواص آن در کاربردهای گوناگون بهره برد. سلف حافظه دار یکی از عناصر مذکور بوده که با توجه به ویژگی های منحصر به فرد آن اخیرا مورد توجه بسیاری از محققان قرار گرفته است. در این مقاله، ابتدا یک ساختار جدید از مدل سلف حافظه دار با استفاده از ممریستور ارایه گردیده است. این ساختار تا فرکانس 200 هرتز عملکرد خوبی از خود نشان می دهد. سپس برای اولین بار یک ساختار جدید به منظور طراحی و پیاده سازی امولاتور سلف حافظه دار کنترل شده با شار مغناطیسی در محدوده فرکانسی مگاهرتز پیشنهاد شده است. مدار امولاتور پیشنهادی از یک ضرب کننده آنالوگ استفاده می کند. مدل سلف حافظه دار بیان شده می تواند در هر دو تنظیمات افزایشی و کاهشی تنظیم شود و عملکرد خوبی تا فرکانس 6/5 مگاهرتز داشته باشد. در این مقاله ابتدا تحلیلی از مدل پیشنهاد شده با مدارات الکترونیکی توضیح داده شده است و سپس نتایج شبیه سازی و ساخت مدل پیشنهادی آورده شده است. نتایج مدار طراحی شده، نشان دهنده عملکرد مناسب مدار طراحی شده به عنوان سلف حافظه دار می باشد.
کلید واژگان: عناصر حافظه دار, سلف حافظه دار, ممریستور, امولاتور, فرکانس بالاUndoubtedly, the discovery of the memristive elements has created a new revolution in the electronics industry that makes it possible to take advantage of its properties in a variety of applications. The meminductor has been one of those elements that has received much attention in recent years due to its features. In this paper, a new structure of the meminductor model using memristor is presented. This circuit performs well up to 200 Hz. Then, for the first time, a new structure is proposed for the design and implementation of flux controlled floating meminductor emulators at frequencies in the Megahertz (MHz) range. The proposed emulator circuit uses an analog multiplier. The proposed meminductor model can be adjusted in both incremental and subtractive settings and perform well up to 6.5 MHz. This paper first presents an analysis of the proposed model with electronic circuits and then presents the simulation and facrication results of the proposed model. The results of the designed circuit show the proper performance of the designed circuit as the meminductor.
Keywords: Memristive Elements, Meminductor, Memristor, Emulator, High Frequency -
در این مقاله، یک راهکار جدید با استفاده از الگوریتم بهینه سازی گرادیان برای ساخت حلقه های قفل شده تاخیر ارائه شده است. از جمله ویژگی های برجسته این ساختار می توان به سرعت بالای قفل شدن و فرکانس بالای عملکرد مدار اشاره کرد. در این ساختار به جای بلوکهای آشکارساز فاز-فرکانس، پمپ بار و فیلتر حلقه از یک پردازنده استفاده شده است. در فرستنده های دیجیتال از یک پردازنده برای دیکد کردن، کد کردن، آشکارسازی و... استفاده می شود. بنابراین می توان از همین پردازنده برای ساخت حلقه قفل شده تاخیر استفاده کرد. در نتیجه پیچیدگی ساختار حلقه قفل شده تاخیر پیشنهادی، نسبت به ساختارهای متداول حلقه های قفل شده تاخیر کمتر می شود. ساختار مورد نظر توسط نرم افزار متلب در استاندارد بلوتوث شبیه سازی شده است. پنج سلول تاخیر برای گرفتن فرکانس خروجی برابر با 4/2 گیگاهرتز توسط فرکانس ورودی 480مگاهرتز در ساختار ارائه شده مورد استفاده قرار گرفته است. شبیه سازی های انجام شده صحت عملکرد و سرعت بالای قفل شدن این ساختار جدید را تایید کرده است.کلید واژگان: حلقه قفل شده تاخیر, الگوریتم گرادیان, زمان قفل شدن, مدارات سرعت بالا, فرکانس بالاJournal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers, Volume:13 Issue: 4, 2017, PP 15 -22In this paper, a new approach using gradient optimization algorithm for delay locked loop (DLL) is provided. Among the salient features of this structure, the proposed DLL can be quickly locked and can be used as a high-frequency circuit. In this novel architecture a digital signal processor (DSP) is used instead of phase detector, charge pump and loop filter. In digital transmitters to select kind of modulation, coding, decoding and a DSP is used. Therefore, this DSP can be used in the proposed structure too. The proposed digital DLL has lower complexity than conventional analog DLLs. The structure is simulated using MATLAB for Bluetooth application. Five delay cells are used in the proposed digital DLL to generate 2.4GHz output frequency from 480MHz input frequency. The simulations confirm the high accuracy and speed of proposed digital DLL.Keywords: Delay Locked Loop, Gradient Algorithm, Lock Time, High Speed Circuits, High Frequency
-
This paper is the first study on the impact of ambient temperature on the electrical characteristics and high frequency performances of double gate armchair graphene nanoribbon field effect transistor (GNRFET). The results illustrate that the GNRFET under high temperature (HT-GNRFET) has the highest cut-off frequency, lowest sub-threshold swing, lowest intrinsic delay and power delay product compared with low-temperature GNRFET (LT-GNRFET) and medium-temperature GNRFET (MT-GNRFET). Besides, the LT-GNRFET demonstrates the lowest off-state current and the highest ratios of Ion/Ioff, average velocity and mobile charge. In addition, the LT-GNRFET has the highest gate and quantum capacitances among three aforementioned GNRFETs.Keywords: GNRFET, Ambient Temperature, Non, Equilibrium Green's Function (NEGF), high frequency, Two, Dimensional FET model
- نتایج بر اساس تاریخ انتشار مرتب شده‌اند.
- کلیدواژه مورد نظر شما تنها در فیلد کلیدواژگان مقالات جستجو شده‌است. به منظور حذف نتایج غیر مرتبط، جستجو تنها در مقالات مجلاتی انجام شده که با مجله ماخذ هم موضوع هستند.
- در صورتی که می‌خواهید جستجو را در همه موضوعات و با شرایط دیگر تکرار کنید به صفحه جستجوی پیشرفته مجلات مراجعه کنید.
©2000-2025 magiran.com All Rights Reserved.